南京大学陈鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118326332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410452503.6，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法是由陈鹏;郭庄鹏;谢自力;陈敦军;修向前;刘斌;赵红;张荣;郑有炓设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积MOCVD方法外延AlN外延层中，首先制备AlN纳米图形化结构，然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延，大幅降低外延层中的位错缺陷，最终可在纳米级厚度获得表面平整，内部无空隙，位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法，形成多种外延晶面，可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向，不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度，而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容，适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
本发明授权一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法，其特征在于其步骤包括： 1在衬底上制备纳米图形化AlN层； 2在纳米图形化AlN层上低温生长AlN层A层； 3在A层上中温生长AlN层B层； 4在B层上高温生长AlN层C层； 其中低温生长的温度范围为900℃~1000℃，中温生长的温度范围为1000℃~1100℃，高温生长的温度范围为1100℃~1200℃，且各阶段温差不低于50℃； 其中所述纳米图形化AlN层的制备方法为在衬底上外延生长一层连续AlN层，然后在AlN层上形成AlN纳米柱，AlN层A层的厚度为AlN纳米柱高度的100%~200%，AlN层B层的厚度为AlN纳米柱高度的50%~150%，AlN层C层的厚度在AlN纳米柱高度的150%以上； 其中AlN纳米柱横向特征尺寸为10~300nm，柱横向间距特征尺寸为100~500nm，柱纵向高度特征尺寸为10~200nm。
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