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龙图腾网获悉武汉科技大学申请的专利一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118530036B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410624750.X，技术领域涉及：C04B35/66；该发明授权一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚及其制备方法是由刘浩;刘文元;王周福;谷建明;马妍;王玺堂设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚及其制备方法。其技术方案是：将碳化硅颗粒A、碳化硅颗粒B、碳化硅细粉A、碳化硅细粉B和木糖醇混合，于硅溶胶中浸渍，烘干，热处理；将热处理得到的二氧化硅包覆碳化硅与氧化铝微粉、五氧化二钒和去离子水混合，得混合浆料，外加粘结剂、助烧剂、聚丙烯酰胺和阿拉伯树胶，混合，球磨，得碳化硅浆料。将排气后的碳化硅浆料置入制备坩埚的石膏模具中，静置，倒出多余碳化硅浆料，继续静置，取出静置后的碳化硅坯体，室内养护，干燥，于1300～1500℃热处理，得到铝合金熔炼用碳化硅坩埚。本发明制备的碳化硅坯体不易破裂，所制制品烧结温度低、耐压强度大、热震稳定性高、抗铝合金熔体侵蚀能力强。

本发明授权一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铝合金熔炼用碳化硅坩埚的制备方法，其特征在于所述制备方法的具体步骤是： 第一步、将20~30wt%的粒径为0.5~1.0mm的碳化硅颗粒A、5~15wt%的粒径为0.1~0.5mm的碳化硅颗粒B、30~40wt%的碳化硅细粉A、20~30wt%的碳化硅细粉B和3~7wt%的木糖醇混合，得到混合料A；将所述混合料A置于硅溶胶中，在真空度为-0.08~-0.10MPa条件下浸渍20~40min，得到混合料B；将所述混合料B在90~110℃条件下烘干8~10h，在400~600℃条件下热处理2~4h，得到二氧化硅包覆碳化硅； 所述碳化硅颗粒A、所述碳化硅颗粒B、所述碳化硅细粉A和所述碳化硅细粉B的化学组成相同：SiC含量大于97.0wt%，Fe2O3含量小于0.5wt%； 所述碳化硅细粉A的粒径﹤0.075mm，所述碳化硅细粉B的粒径﹤0.030mm； 第二步、将55~75wt%的所述二氧化硅包覆碳化硅、10~20wt%的氧化铝微粉、1~5wt%的五氧化二钒和10~30wt%的去离子水混合，得到混合浆料，再外加所述混合浆料0.5~1.0wt%的粘结剂、0.5~1.0wt%的助烧剂、0.5~1.0wt%的聚丙烯酰胺和0.2~0.5wt%的阿拉伯树胶，混合，球磨12~20h，得到碳化硅浆料； 第三步、将所述碳化硅浆料在真空度为-0.08~-0.10MPa条件下排气10~30min，将排气后的碳化硅浆料倒入制备坩埚的石膏模具中，静置20~40min，倒出多余的碳化硅浆料，继续静置30~60min，得到碳化硅坯体；将所述碳化硅坯体从石膏模具中取出，于20~30℃条件下在室内养护20~30h，再于80~110℃条件下干燥8~12h，然后于1300~1500℃条件下热处理2~4h，得到铝合金熔炼用碳化硅坩埚。

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