日立能源有限公司B·K·波克斯汀获国家专利权
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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利半导体器件和用于运行半导体器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118541807B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202280088795.9,技术领域涉及:H10D12/00;该发明授权半导体器件和用于运行半导体器件的方法是由B·K·波克斯汀;W·A·维塔勒;K·塞尔瓦;A·梅塞马诺利斯设计研发完成,并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和用于运行半导体器件的方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种半导体器件和一种用于运行半导体器件的方法。根据实施例,半导体器件100包括半导体本体1、第一电极2、栅极电极3和可变电阻器元件4。可变电阻器元件电连接到栅极电极和第一电极。可变电阻器元件至少具有第一状态和第二状态。在第一状态中,可变电阻器元件充当电绝缘体,以便抑制电流经由可变电阻器元件从第一电极流到栅极电极,或者从栅极电极流到第一电极。在第二状态中,可变电阻器元件充当电导体,以便允许电流经由可变电阻器元件从第一电极流到栅极电极,或者从栅极电极流到第一电极。可变电阻器元件被配置为当可变电阻器元件的温度上升到临界温度Tc以上时从第一状态转变到第二状态。
本发明授权半导体器件和用于运行半导体器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件100,包括 -半导体本体1, -第一电极2, -栅极电极3, -多个可变电阻器元件4,所述多个可变电阻器元件4布置在所述半导体器件100的不同位置处并且彼此间隔开,其中 -所述可变电阻器元件4电连接到所述栅极电极3和所述第一电极2, -所述可变电阻器元件4中每一个至少具有第一状态和第二状态, -在所述第一状态下,所述可变电阻器元件4充当电绝缘体以抑制电流经由所述可变电阻器元件4从所述第一电极2流到所述栅极电极3,或者从栅极电极3流到第一电极2, -在所述第二状态下,所述可变电阻器元件4充当电导体以允许电流经由所述可变电阻器元件4从所述第一电极2流到所述栅极电极3,或者从栅极电极3流到第一电极2, -所述可变电阻器元件4被配置成当所述可变电阻器元件4的温度上升到临界温度Tc以上时,所述可变电阻器元件4从所述第一状态平稳地转变到所述第二状态,使得从所述第一状态到所述第二状态的转变所发生的温度范围ΔT为至少50℃,其特征在于, 可变电阻器元件4位于所述半导体器件100的位于所述栅极电极3的栅极盘端子30下方的区域中,并且多个可变电阻器元件4位于所述栅极电极3的栅极流道31的下方。
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