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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种全铁电神经拟态单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118569328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410614429.3，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权一种全铁电神经拟态单元及其制备方法是由张溢;吴祎玮;万婉婷;阳辉;郑跃设计研发完成，并于2024-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种全铁电神经拟态单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全铁电神经拟态单元及其制备方法。一种全铁电神经拟态单元，所述全铁电神经拟态单元结构包括由上至下依次设置的上层电极阵列、铁电层和下层电极阵列；所述上层电极阵列和所述下层电极阵列的单个电极形状为矩形，单个电极的宽度分别为1nm～10μm，相邻电极相互间的间距为10nm～50μm；所述上层电极阵列的单个电极和所述下层电极阵列的单个电极的宽度比为0.001～1000；所述上层电极阵列和所述下层阵列电极错位排布，错位角的角度范围为0～180°。本发明通过精细改变电场加载条件来调控铁电功能层中的极化、屏蔽、空间电荷动力学行为，不但能够高效地模拟神经元点火、突触可塑性等行为，更能够同时实现神经元和突触的模拟，从而构建全铁电类脑网络。

本发明授权一种全铁电神经拟态单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用全铁电神经拟态单元模拟神经行为的方法，其特征在于，所述全铁电神经拟态单元结构包括由上至下依次设置的上层电极阵列、铁电层和下层电极阵列； 所述上层电极阵列和所述下层电极阵列的单个电极形状为矩形，单个电极的宽度分别为1nm~10μm，相邻电极相互间的间距为10nm~50μm；所述上层电极阵列的单个电极和所述下层电极阵列的单个电极的宽度比为0.01~100； 所述上层电极阵列和所述下层阵列电极错位排布，错位角的角度范围为0~180°； 所述上层电极阵列和所述下层电极阵列的厚度分别为1~500nm； 所述下层电极阵列和所述下层电极阵列存在投影重叠区域； 所述铁电层的厚度为0.001~1μm； 所述模拟神经行为的方法包括以下方式： 1对上层电极阵列输入脉冲电信号，监测下层电极阵列的电响应来模拟神经元行为，其中脉冲电信号的形状为正弦波、方波、阶梯波、三角波、锯齿波中的一种或多种，幅值为0.1~1.5Vc，Vc为铁电层的矫顽电压，频率为0.1~1GHz，脉冲个数为1~1010个； 2对上层电极阵列输入脉冲电信号，监测下层电极阵列的电响应来模拟突触可塑性行为，其中脉冲电信号的形状为正弦波、方波、阶梯波、三角波、锯齿波中的一种或多种，幅值为0.9~3Vc，Vc为铁电层的矫顽电压，频率为0.1~1GHz； 3对上层电极阵列输入脉冲电信号，监测下层电极阵列的电响应来同时模拟神经元行为和突触可塑性行为，其中脉冲电信号的形状为正弦波、方波、阶梯波、三角波、锯齿波中的一种或多种，幅值为0.1~3Vc，Vc为铁电层的矫顽电压，频率为0.1~1GHz，脉冲个数为1~1016个； 4对任一相邻的两个或两个以上的上层电极同时加载电信号，监测任一相邻的两个或两个以上的下层电极的电信号响应，从而同时模拟神经元和突触可塑性行为、构建类脑网络，其中脉冲电信号的形状为正弦波、方波、三角波、阶梯波、锯齿波中的一种或多种，频率为0.1~1GHz，幅值为0.1~3Vc，Vc为铁电层的矫顽电压，脉冲个数为1~1016个。

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