北京芯兴微电子有限责任公司李秋平获国家专利权
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龙图腾网获悉北京芯兴微电子有限责任公司申请的专利稳压电路以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118760318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410966910.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权稳压电路以及电子设备是由李秋平;王富城设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本稳压电路以及电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及电子技术领域和半导体器件领域，且提供一种稳压电路以及电子设备。所述稳压电路形成于半导体基板，所述稳压电路包括串联连接的前级稳压模块、低通滤波模块和后级稳压模块，所述低通滤波模块包括形成在所述半导体基板上的电连接的电阻和电容。由此，通过前级稳压模块将电压稳定在需要的水平，然后通过低通滤波模块将前级稳压模块带来的噪声滤除，从而能够从后级稳压模块输出噪声小的稳定电压，虽然本申请实施例的稳压电路增加了低通滤波模块和后级稳压模块而增大了器件的面积，但是，与采用传统的降噪方式相比，在增加相同的面积的情况下本申请的降低噪声的效率更高。
本发明授权稳压电路以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种稳压电路，其特征在于，所述稳压电路形成于半导体基板，所述稳压电路包括串联连接的前级稳压模块、低通滤波模块和后级稳压模块，所述低通滤波模块包括形成在所述半导体基板上的电连接的电阻和电容， 所述电阻包括源极和漏极分别对应连接的NMOS管和PMOS管以及分别与所述NMOS管和所述PMOS管的栅极电连接的电压源， 施加到所述NMOS管和所述PMOS管的栅极电压随温度的变化而变化，使得所述电阻的电阻值与所述电容的电容值的乘积相对于温度的变化量为0， 其中， 与所述NMOS管电连接的第一电压源的电流为正向且随着温度的上升而下降，以使施加到所述NMOS管的栅极的电压随着温度的上升而下降； 与所述PMOS管电连接的第二电压源的电流为负向且随着温度的上升而上升，以使施加到所述PMOS管的栅极的电压随着温度的上升而上升。
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