中微半导体设备(上海)股份有限公司李兆晟获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种等离子体处理设备及其安装维护方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118824825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310410244.6,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权一种等离子体处理设备及其安装维护方法是由李兆晟;周艳;徐朝阳;杨宽;王智昊设计研发完成,并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体处理设备及其安装维护方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种等离子体处理设备及安装维护方法,等离子体处理设备包括:反应腔,包括第一腔体;顶盖,设置于第一腔体顶部;第二腔体,设置于第一腔体内;第一腔体底部设有抽气口,第一腔体侧面设有第一开口,第二腔体侧面设有第二开口,第二开口和第一开口通过连接管连通形成通道;基座,设置于第一腔体内,用于承载晶圆;基座与第二腔体之间设有可伸缩的密封部件;屏蔽板,设置于第二腔体内,用于将第二腔体分隔为第一容纳空间和第二容纳空间;第一容纳空间靠近基座,以容置与基座连接的射频导杆;升降机构,设置于第二容纳空间内,贯穿屏蔽板与基座连接,用于支撑基座并带动基座上下移动。本发明能够保证基座稳定升降及腔内气体压力分布均匀。
本发明授权一种等离子体处理设备及其安装维护方法在权利要求书中公布了:1.一种等离子体处理设备,其特征在于,包括: 反应腔,其包括第一腔体;顶盖,设置于所述第一腔体的顶部;第二腔体,设置于所述第一腔体内;所述第一腔体的底部设有抽气口,所述第一腔体的侧面设有第一开口,所述第二腔体的侧面设有第二开口,所述第二开口和所述第一开口通过连接管连通且三者形成通道; 基座,设置于所述第一腔体内,位于所述第二腔体的上方,用于承载晶圆;所述基座与所述第二腔体之间设有可伸缩的密封部件; 屏蔽板,设置于所述第二腔体内,用于将所述第二腔体的空间分隔为第一容纳空间和第二容纳空间;且所述第一容纳空间靠近所述基座,以容置与所述基座连接的射频导杆;所述屏蔽板的材料为导电材料;以及 升降机构,设置于所述第二容纳空间内,贯穿所述屏蔽板与所述基座连接,用于支撑所述基座并带动所述基座上下移动; 还包括:接地环,围绕所述基座的外围设置;且所述接地环通过所述密封部件与所述第二腔体连接。
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