湖南大学邱仁华获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利基于NMWCNT构造C@SiOx/MoSe2@NMWCNT材料的合成方法及用途获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118867192B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411047170.5,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权基于NMWCNT构造C@SiOx/MoSe2@NMWCNT材料的合成方法及用途是由邱仁华;卞梦茹;杨寅材;魏甜甜;陈友文;尹双凤设计研发完成,并于2024-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于NMWCNT构造C@SiOx/MoSe2@NMWCNT材料的合成方法及用途在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于NMWCNT构造C@SiOxMoSe2@NMWCNT材料的合成方法及用途,在CNT表面引入含氮官能团作为活性位点形成氮N掺杂的碳纳米管NMWCNT,可以促进硒化钼和硅的吸附,同时硒化钼纳米瓣充当分散高容量SiOx的骨架。该发明通过将五氯化钼、三苯基氯硅烷、NMWCNT和乙二醇超声混合,然后和硒一起煅烧形成C@SiOxMoSe2@NMWCNT三层异质结材料。本发明方法简单易于操作、成本低、用于SIB电极材料具有良好的性能,在0.1Ag‑1的电流密度下,可以达到1568mAhg‑1的初始放电比容量,在5Ag‑1的高电流密度下循环1000次后还有415mAhg‑1的放电比容量,循环3000次后,还有353mAhg‑1的放电比容量,具有很好的循环稳定性以及较高的比容量,有利于实现规模化生产。
本发明授权基于NMWCNT构造C@SiOx/MoSe2@NMWCNT材料的合成方法及用途在权利要求书中公布了:1.一种基于NMWCNT构造C@SiOxMoSe2@NMWCNT材料的合成方法,其特征在于,包括如下步骤: S1:将五氯化钼溶于第一次乙二醇溶液中,形成钼基金属有机配合物,钼基金属有机配合物中再加入三苯基氯硅烷和第二次乙二醇溶液,形成钼基硅金属有机配合物; S2:向钼基硅金属有机配合物中加入NMWCNT进行超声,使NMWCNT分散均匀,同时使钼基硅金属有机配合物均匀吸附在NMWCNT表面,得到分散后溶液; S3:将分散后溶液在惰性气体气氛下煅烧生成基于NMWCNT构造C@SiOxMoSe2@NMWCNT材料,其中1≤X≤2。
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