浙江创芯集成电路有限公司耿志圣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170559B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293954.6，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由耿志圣设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在基底上形成掩膜结构；在掩膜结构内形成第一开口；在第一开口内部形成至少1个第二开口，第二开口底部低于第一开口底部，至少1个第二开口与第一开口相连通以形成隔离图形；将隔离图形转移至基底内，在基底内形成隔离沟槽；填充隔离沟槽，形成隔离结构。隔离沟槽中，与第二开口对应的区域的深度大于与非第二开口对应的区域。填充隔离沟槽，形成隔离结构时，与第二开口对应的区域的隔离结构的深度大于与非第二开口对应的区域的隔离结构的深度。当电子从源极流出，沿着非第二开口对应的区域流出的电子的流通路径相较于沿着第二开口对应的区域流出的电子的流通路径更短，使得器件的特征导通电阻减小。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成掩膜结构； 在所述掩膜结构内形成第一开口，所述第一开口用以定义隔离结构的位置； 在所述第一开口内部形成至少1个第二开口，所述第二开口底部低于所述第一开口底部，至少1个所述第二开口与所述第一开口相连通以形成隔离图形； 将所述隔离图形转移至所述基底内，在所述基底内形成隔离沟槽，所述隔离沟槽包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二区沿第一方向交替排列，所述第二区的隔离沟槽与所述第二开口相对应，所述第二区的隔离沟槽与所述第一区的隔离沟槽相连通，所述第一方向平行所述基底的表面； 填充所述隔离沟槽，形成隔离结构； 在形成所述隔离结构之后，还包括：形成源极和漏极，沿第二方向，所述源极和所述漏极分别位于所述隔离结构的两侧，所述第二方向垂直所述第一方向，所述第二方向平行所述基底的表面。
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