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龙图腾网获悉山东大学申请的专利基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411313016.8，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器及制备方法是由王善朋;徐凯汇;王世磊;陶绪堂设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器及制备方法在说明书摘要公布了：一种基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器及制备方法，该探测器为MSM器件结构，以c面LiGa0.5In0.5Se2晶片作为半导体材料，金属材料作为电极，可在零偏压下实现自驱动X射线探测；上述自驱动X射线探测器的制备方法包括以下步骤：1制备LiGa0.5In0.5Se2晶体；2定向加工c面LiGa0.5In0.5Se2晶片；3将LiGa0.5In0.5Se2晶片上表面和下表面抛光并进行表面钝化处理；4在LiGa0.5In0.5Se2晶片上表面和下表面蒸镀金属电极。本发明利用LiGa0.5In0.5Se2的非中心对称结构产生的体光伏效应，制备了自驱动X射线探测，器件结构简单，同时由于LiGa0.5In0.5Se2晶体具有高电阻率，所制备的器件具有低的暗电流，能够实现高灵敏X射线探测。

本发明授权基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于LiGa0.5In0.5Se2晶体的自驱动X射线探测器的制备方法，该探测器为MSM器件结构，以c面LiGa0.5In0.5Se2晶片作为半导体材料，金属材料作为电极，在零偏压下实现自驱动X射线探测；其特征是，包括以下步骤： 1制备LiGa0.5In0.5Se2晶体； 2定向加工c面LiGa0.5In0.5Se2晶片； 3将LiGa0.5In0.5Se2晶片上表面和下表面抛光并进行表面钝化处理； 4在LiGa0.5In0.5Se2晶片上表面和下表面蒸镀金属电极； 所述步骤1中制备LiGa0.5In0.5Se2晶体的过程是： ①按照摩尔比Li：Ga：In：Se=2：1：1：4的比例配料，将单质原料装入预处理的石墨坩埚中混匀，然后置于预处理的石英安瓿中，抽真空后烧结封管； ②将石英安瓿阶段性升温，使得原料充分化合反应； 所述阶段性升温，首先30～40小时升温至200～250℃，恒温25～35小时；然后，30～40小时升温至600～650℃，恒温30～40小时；最后在升温至900～950℃，恒温40～50小时； ③反应完毕后，降至室温； ④敲碎石英安瓿，从坩埚中取出LiGa0.5In0.5Se2多晶料，研磨成LiGa0.5In0.5Se2粉末； ⑤将研磨的LiGa0.5In0.5Se2粉末装入预处理的石墨坩埚中，然后置于预处理的石英安瓿中，抽真空烧结密封； ⑥将石英安瓿在850～900℃熔化30～40小时，然后以0.15～0.3mmh的下降速率下降至800-850℃位置，然后以1～2℃h的降温速率降至室温，敲碎石英安瓿，从坩埚中取出LiGa0.5In0.5Se2晶体。

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