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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利一种光电化学传感器、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119198856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411295800.0，技术领域涉及：C08G73/06；该发明授权一种光电化学传感器、制备方法及应用是由陈淑琴;郭晶晶;罗晴;姜祎凝;周雨欣设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电化学传感器、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提出一种光电化学传感器、制备方法及应用，光电化学传感器是在BiVO4CuO‑FTO电极的基础上，以吡咯作为功能单体，土霉素作为模板分子，在BiVO4CuO‑FTO电极上电聚合分子印迹聚合物得到。利用光电化学传感器构建三电极体系，将土霉素与缓冲液组成含有不同土霉素浓度的标准混合液，并进行光电流测试，获取不同土霉素浓度的标准光电信号，以土霉素浓度为横坐标，以标准光电信号为纵坐标作图，得到标准曲线，将含有土霉素的牛奶样品通过上述光电流测试操作，获取光电信号，并将其代入标准曲线，即得待测样品溶液中的土霉素含量。本发明仪器小巧，操作简便，制备简单，成本低，特异选择性好，具有巨大应用前景。

本发明授权一种光电化学传感器、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种光电化学传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 将BiVO4CuO-FTO电极的导电面非修饰部分覆上绝缘层，得到BiVO4CuO-FTO工作电极； 采用电聚合方法，将土霉素与吡咯功能单体电聚合到BiVO4CuO-FTO工作电极上，得到MIP-BiVO4CuO-FTO电极； 其中，采用电聚合方法，将土霉素与吡咯功能单体电聚合到BiVO4CuO-FTO工作电极上，得到MIP-BiVO4CuO-FTO电极的方法具体包括如下步骤： 通过循环伏安法，配置含有0.3-0.6mM的吡咯和0.1-0.2mM的土霉素的pH=7的醋酸盐缓冲液，将BiVO4CuO-FTO工作电极置于醋酸盐缓冲液内，设置0.2-0.6v的电压范围，50mvs的扫描速度，循环次数为15-30次，用蒸馏水缓慢冲洗处理并晾干，由此获得MIP-BiVO4CuO-FTO电极； 将MIP-BiVO4CuO-FTO电极中的土霉素洗脱掉，得到光电化学传感器； 其中，将MIP-BiVO4CuO-FTO电极中的土霉素洗脱掉，得到光电化学传感器的方法具体包括如下步骤： 制备的MIP-BiVO4CuO-FTO置于0.2molL的PBS缓冲溶液，PBS缓冲溶液pH=7.4，设置恒定电压为+0.9v，洗脱10min，然后用去离子水反复洗涤，得到光电化学传感器。

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