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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310769381.9，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种半导体封装结构及其形成方法是由王彪设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体封装结构及其形成方法，半导体封装结构包括：基底、第一芯片和第二芯片。基底上包括第一凹槽、第二凹槽和基底通孔。第一凹槽形成于基底的正面，第二凹槽形成于基底的背面，基底通孔位于第一凹槽和第二凹槽的外侧。第一芯片植入于第一凹槽中，第二芯片，植入于第二凹槽中。第一芯片和第二芯片，分别电连接至对应的基底通孔，且通过基底通孔通信互连。

本发明授权一种半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括： 基底，所述基底上包括第一凹槽、第二凹槽和基底通孔；所述第一凹槽形成于所述基底的正面，所述第二凹槽形成于所述基底的背面，所述基底通孔位于所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧； 第一芯片，植入于所述第一凹槽中； 第二芯片，植入于所述第二凹槽中；所述第一芯片和所述第二芯片，分别电连接至对应的所述基底通孔，且通过所述基底通孔通信互连； 所述半导体封装结构还包括：第一重布线层和第二重布线层； 所述第一重布线层位于所述基底的正面；所述第一芯片通过所述第一重布线层，电连接至对应的所述基底通孔； 所述第二重布线层位于所述基底的背面；所述第二芯片通过所述第二重布线层，电连接至对应的所述基底通孔； 所述第一芯片的正面，与所述基底的正面朝向一致，且通过导电凸块电连接所述第一重布线层； 所述第二芯片的正面，与所述基底的背面朝向一致，且通过导电凸块电连接所述第二重布线层； 所述基底的数量为多个； 多个所述基底沿竖直方向堆叠；相邻所述基底之间，填充有塑封材料； 位于不同所述基底之中且相邻的所述芯片，相互键合而电连接，键合位置位于所述导电凸块的位置；所述塑封材料与所述第一重布线层和所述第二重布线层直接接触； 所述第一凹槽的内壁和所述第一芯片的侧壁之间，以及，所述第二凹槽的内壁和所述第二芯片的侧壁之间，均填充有绝缘层，所述塑封材料的导热性大于所述绝缘层的导热性。

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