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龙图腾网获悉株式会社芙洛提亚申请的专利非易失性存储器单元及非易失性半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119302051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280096599.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权非易失性存储器单元及非易失性半导体存储装置是由谷口泰弘;奥山幸祐;白田理一郎设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器单元及非易失性半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够实现集成化及小型化的非易失性存储器单元及非易失性半导体存储装置。在非易失性半导体存储装置中，对于串联连接存储晶体管MT、漏极侧选择晶体管DT及源极侧选择晶体管ST得到的存储器单元C，能够实现三维结构，通过将该存储器单元C设为三维结构，能够不受二维缩放的制约，实现存储器单元C的集成化及小型化。

本发明授权非易失性存储器单元及非易失性半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器单元，其中，包括： 漏极扩散层，沿基板的表面的面方向延伸设置且电连接有位线； 源极扩散层，与所述漏极扩散层并行地沿所述面方向延伸设置，且电连接有源极线； 柱状的一个或多个存储器栅电极，所述存储器栅电极隔着绝缘层竖立设置在所述基板上，并且设置于并行的所述漏极扩散层与所述源极扩散层之间的区域； 柱状的漏极侧选择栅电极，其隔着绝缘层竖立设置在所述基板上，并且设置于所述漏极扩散层与所述存储器栅电极之间的区域； 柱状的源极侧选择栅电极，其隔着绝缘层竖立设置在所述基板上，并且设置于所述源极扩散层与所述存储器栅电极之间的区域； 多层绝缘层，与所述存储器栅电极接触设置； 漏极侧选择栅极绝缘层，与所述漏极侧选择栅电极接触设置； 源极侧选择栅极绝缘层，与所述源极侧选择栅电极接触设置；以及 半导体层，设置于并行的所述漏极扩散层与所述源极扩散层之间的区域，并且分别与所述漏极侧选择栅极绝缘层、所述源极侧选择栅极绝缘层、所述多层绝缘层、所述漏极扩散层和所述源极扩散层接触， 所述多层绝缘层具有与所述存储器栅电极接触的第一存储器栅极绝缘层、与所述第一存储器栅极绝缘层接触的电荷蓄积层、以及与所述电荷蓄积层和所述半导体层接触的第二存储器栅极绝缘层，且设置在所述存储器栅电极的侧面， 所述漏极侧选择栅极绝缘层设置在所述漏极侧选择栅电极的侧面， 所述源极侧选择栅极绝缘层设置在所述源极侧选择栅电极的侧面， 所述半导体层分别与所述漏极侧选择栅极绝缘层、所述源极侧选择栅极绝缘层、所述多层绝缘层、所述漏极扩散层以及所述源极扩散层的各侧面接触， 在所述多层绝缘层中，所述第一存储器栅极绝缘层与所述存储器栅电极的侧面接触，所述电荷蓄积层与所述第一存储器栅极绝缘层的侧面接触，所述第二存储器栅极绝缘层与所述电荷蓄积层的侧面及所述半导体层的侧面接触， 所述漏极侧选择栅极绝缘层在所述漏极侧选择栅电极的侧面上沿周向设置一周， 所述源极侧选择栅极绝缘层在所述源极侧选择栅电极的侧面上沿周向设置一周， 所述多层绝缘层在所述存储器栅电极的侧面上沿周向设置一周。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社芙洛提亚，其通讯地址为：日本国东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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