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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119307858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411212846.1，技术领域涉及：C23C14/08；该发明授权一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用是由程鑫;李云飞;刘荣跃;罗芹;詹绍虎;李义麟;徐靖夫设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及压电材料技术领域，尤其涉及一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用，制备方法包括步骤：将Ti金属作为射频靶材在衬底上进行第一溅射沉积处理，形成Ti粘附层；在Ti粘附层上形成底电极；将PbxZr0.52Ti0.48O3陶瓷作为射频靶材在底电极上进行第二溅射沉积处理，经快速热处理，形成PZT种子层；将PbxZr0.52Ti0.48O3陶瓷作为射频靶材在PZT种子层上进行第三溅射沉积处理，经快速热处理，重复该步骤，形成锆钛酸铅薄膜。本发明在溅射沉积PZT薄膜材料过程中不额外对衬底托盘进行加热，减少了PbO的损失挥发，能够有效维持薄膜组分稳定；利用PZT种子层提供更多的晶核，促进PZT薄膜的均匀结晶，提高PZT薄膜的结晶质量和电学性能，减少晶界缺陷，并增强薄膜与衬底的附着力和稳定性。

本发明授权一种锆钛酸铅薄膜及其低温制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种锆钛酸铅薄膜的低温制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供衬底； 将Ti金属作为射频靶材在所述衬底上进行第一溅射沉积处理，形成Ti粘附层； 在所述Ti粘附层上形成底电极； 将PbxZr0.52Ti0.48O3陶瓷作为射频靶材在所述底电极上进行第二溅射沉积处理，经快速热处理，形成PZT种子层；其中，x在1.1-1.3之间； 将PbxZr0.52Ti0.48O3陶瓷作为射频靶材在所述PZT种子层上进行第三溅射沉积处理，经快速热处理，重复所述第三溅射沉积处理和所述快速热处理，形成锆钛酸铅薄膜； 所述快速热处理的升温速率为2.5℃s-10℃s；所述快速热处理包括预退火阶段和退火阶段；所述预退火阶段的温度为450℃-550℃，所述预退火阶段的时间为60s-120s；所述退火阶段的温度为600℃-700℃，所述退火阶段的时间为2min-15min； 所述Ti粘附层的厚度在10nm-20nm之间；所述PZT种子层的厚度为30nm-100nm；单次所述第三溅射沉积处理后，在所述PZT种子层上形成300nm-600nm的锆钛酸铅薄膜；所述锆钛酸铅薄膜的厚度为1μm-2μm。

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