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龙图腾网获悉武汉高德智感科技有限公司申请的专利基于多源校正的发射率测量方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119334478B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411446173.6，技术领域涉及：G01J5/80；该发明授权基于多源校正的发射率测量方法和装置是由黄晟;陈曦;崔昌浩;周汉林设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多源校正的发射率测量方法和装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于多源校正的发射率测量方法和装置，方法包括：建立发射率测量模型；发射率测量模型至少包括辐射源校正、大气环境校正、装置辐射能量校正、探测元分段非线性拟合校正的其中之一；辐射源校正用于通过安装在探测元前端的微腔准直结构去除非目标辐射源和目标非法向的辐射能量的影响；大气环境校正用于去除大气环境衰减误差的影响；装置辐射能量校正用于去除微腔准直结构的辐射能量的影响；探测元分段非线性拟合用于降低探测元温度‑电压拟合误差的影响；利用发射率测量模型，确定目标样本的发射率。本公开通过对辐射源、辐射传播途径、装置辐射、辐射接收端的误差校正，构建高精度发射率测量模型。

本发明授权基于多源校正的发射率测量方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种基于多源校正的发射率测量方法，其特征在于，包括： 建立发射率测量模型；所述发射率测量模型至少包括辐射源校正、大气环境校正、装置辐射能量校正、探测元分段非线性拟合校正的其中之一；所述辐射源校正用于通过安装在探测元前端的微腔准直结构去除非目标辐射源和目标非法向的辐射能量的影响；所述大气环境校正用于去除大气环境衰减误差的影响；所述装置辐射能量校正用于去除微腔准直结构的辐射能量的影响；所述探测元分段非线性拟合校正用于降低探测元温度-电压拟合误差的影响； 利用所述发射率测量模型，确定目标样本的发射率； 其中，建立发射率测量模型，包括：利用微腔准直结构，传输目标样本发射的法向辐射能量至探测元以供完成所述辐射源校正；根据大气环境参数和装置的辐射能量，得到辐射能量表达公式以供完成所述大气环境校正和所述装置辐射能量校正；通过所述辐射能量表达公式，确定目标样本的发射率测量公式；其中，所述大气环境参数至少包括当前环境温度； 其中，根据大气环境参数和装置的辐射能量，得到辐射能量表达公式以供完成所述大气环境校正和所述装置辐射能量校正；通过所述辐射能量表达公式，确定目标样本的发射率测量公式，包括：将探测元接收的辐射能量表达为大气辐射能量、装置辐射能量和目标辐射能量的和，得到辐射能量表达公式；根据斯蒂芬玻尔兹曼定律，将所述辐射能量表达公式转换为辐射温度表达公式；利用所述辐射温度表达公式得到发射率测量公式； 其中，辐射温度表达公式如下： ； 式中，为目标辐射温度；为大气透过率；为目标样本的发射率；为微腔准直材料的内部涂覆材料的发射率；为目标样本的真实温度；为当前环境温度；为微腔准直结构的温度；n为常数； 其中，所述发射率测量公式如下： ； 其中，为目标辐射温度；为大气透过率；为目标样本的真实温度；为微腔准直材料的内部涂覆材料的发射率；为当前环境温度；为微腔准直结构的温度；n为常数。

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