中微半导体设备(上海)股份有限公司孙祥获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311023397.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法是由孙祥;王枫;丛海设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法在说明书摘要公布了：一种等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法，其中处理方法包括：提供一零部件，所述零部件表面包括多晶结构；对所述多晶结构进行离子注入工艺；进行离子注入工艺之后，进行微波晶化处理，使所述多晶结构转化为类单晶结构，所述类单晶结构的零部件经过X射线衍射所得到的衍射峰图谱由一个主峰和若干次峰，其中，每个次峰的强度至少低于所述主峰的强度125。所述方法能够提高零部件的耐腐蚀能力，降低颗粒污染物。
本发明授权等离子体反应装置、半导体零部件及其处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体零部件的处理方法，其特征在于，包括： 提供一零部件，所述零部件为烧结体，或者，所述零部件包括耐腐蚀涂层，所述烧结体或耐腐蚀涂层为多晶结构； 对所述多晶结构进行离子注入工艺； 进行离子注入工艺之后，进行微波晶化处理，使所述多晶结构转化为类单晶结构，所述类单晶结构的零部件经过X射线衍射所得到的衍射峰图谱包括一个主峰和若干次峰，其中，每个次峰的强度至少低于所述主峰的强度的125； 所述烧结体的材料包括：稀土金属氧化物；所述微波晶化处理后所述烧结体为稀土金属氟氧化物烧结体或者稀土金属氟化物烧结体；或，所述烧结体的材料包括：稀土金属氟氧化物；所述微波晶化处理后所述烧结体为稀土金属氟化物烧结体； 所述耐腐蚀涂层的材料为稀土金属氧化物；所述微波晶化处理后所述耐腐蚀涂层为稀土金属氟氧化物涂层或者稀土金属氟化物涂层；或，所述耐腐蚀涂层的材料为稀土金属氟氧化物，所述微波晶化处理后所述耐腐蚀涂层为稀土金属氟化物涂层。
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