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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593182.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法是由张涛;陈嘉豪;苏华科;任泽阳;许晟瑞;张进成设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，二极管包括：传输层；漂移层位于传输层的下表面；阳电极位于漂移层下表面的中部；阴电极位于传输层上表面的中部；第一介质层位于剩余漂移层的下表面，以及阳电极的侧壁和部分下表面；第二介质层位于剩余传输层的上表面，以及阴电极的侧壁和部分上表面；阳电极加厚层位于第一介质层的下表面，以及剩余阴电极的下表面；导电基板位于阳电极加厚层的下表面；附加阳电极位于导电基板下表面的中部；阴电极加厚层位于部分第二介质层的上表面，以及剩余阴电极的上表面。本发明实现了完全纵向导电的垂直型器件结构，提高了器件正向电流密度，降低了导通电阻。

本发明授权一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低成本全垂直型氮化镓肖特基势垒二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 获取外延片；所述外延片包括从下到上依次层叠的衬底层1、成核层2、传输层3和漂移层4； 在所述漂移层4上表面的中部形成阳电极5，所述阳电极5与所述漂移层4形成肖特基接触； 在剩余所述漂移层4的上表面，以及所述阳电极5的侧壁和部分上表面形成第一介质层6； 在所述第一介质层6的上表面，以及剩余所述阳电极5的上表面形成阳电极加厚层7； 获取导电基板8，并将所述导电基板8永久键合于所述阳电极加厚层7的上表面； 在所述导电基板8上表面的中部形成附加阳电极9； 翻转整个器件结构，并刻蚀掉所述衬底层1和所述成核层2； 在所述传输层3上表面的中部形成阴电极10，所述阴电极10与所述传输层3形成欧姆接触； 在剩余所述传输层3的上表面，以及部分所述阴电极10的上表面形成第二介质层11； 在剩余所述阴电极10的上表面，以及部分所述第二介质层11的上表面形成阴电极加厚层12。

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