上海应用技术大学张彦获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种用于β-Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119571457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411705231.2，技术领域涉及：C30B29/24；该发明授权一种用于β-Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法是由张彦;房永征设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于β-Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于β‑Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。本发明以LiBO2‑金属氟化物作为β‑Ga2O3晶体生长的复合助熔剂体系，LiBO2与金属氟化物的摩尔比为1～0.8：0.04～0.2，晶体生长温度区间为700～1000℃。与现有技术相比，本发明提出的助熔剂体系，不含高温助熔剂中常用的PbO、PbSO4等有毒、有害成份，能够大幅度降低β‑Ga2O3晶体的饱和点温度，提高生长体系的稳定性，且金属氟化物可以有效打断B‑O键链，溶剂粘度小，避免了包裹体的产生，易于获得高质量的β‑Ga2O3晶体。
本发明授权一种用于β-Ga2O3晶体生长的助熔剂及晶体生长方法在权利要求书中公布了：1.一种用于β-Ga2O3晶体生长的助熔剂，其特征在于，所述助熔剂为偏硼酸锂-金属氟化物体系的助熔剂，所述助熔剂中偏硼酸锂与金属氟化物的摩尔比为1~0.8：0.04~0.2； 所述金属氟化物为氟化锂、氟化钠、氟化钾中的一种。
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