中国科学院金属研究所李昺获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种NiP2晶体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119593053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411755787.2，技术领域涉及：C30B9/12；该发明授权一种NiP2晶体的制备方法是由李昺;冯远文;王延绪设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种NiP2晶体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种NiP2晶体的制备方法，即采用震荡式加热控制晶体成核数量，同时控制冷却速率，成功制备出不同尺寸和形状的NiP2单晶体。属于材料科学技术领域。本发明提供的晶体生长方法不仅工艺简单、成本低廉，而且晶体尺寸和形状可控。本发明不仅解决了大尺寸NiP2单晶生长困难的问题，而且还对传统的晶体生长技术及半导体制备工艺的发展具有重大意义。
本发明授权一种NiP2晶体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NiP2晶体的制备方法，其特征在于：以NiP2多晶和锡为原料，采用助熔剂法，在真空密封条件下，升温到上限温度后，采用震荡式加热，之后冷却，获得NiP2单晶体；所述的震荡式加热为：在700~1100℃之间，设置为2~6个震荡周期，一个震荡周期包括：从上限温度开始-降温到下限温度-保温-升温到上限温度-保温；所述的升温到上限温度后，保温时间为24~48h；所述的震荡式加热：上限温度为900~1080℃，下限温度为700~800℃，降温速率为90~150℃h，升温速率为60~100℃h，在上下限温度时的保温时间为0.5~1h；NiP2多晶与锡的摩尔比为1:16~1:18。
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