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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学申请的专利器件沟道退化监测电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656912.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权器件沟道退化监测电路及芯片是由陈燕宁;解尧明;刘芳;邵亚利;李东镁;梁英宗;沈美根;赵扬;李小明设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本器件沟道退化监测电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种器件沟道退化监测电路及芯片。该电路包括退化环形振荡器，退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器；退化反相器中第一晶体管为高压功率晶体管，第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第二晶体管的栅极连接第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接第二输出端。克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷，本发明能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，并克服了目前仅对芯片做初始出厂时老化可靠性预测，无法预警高压电源、隔离芯片随着工作时间、实时动态经时老化监测的难题。

本发明授权器件沟道退化监测电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种器件沟道退化监测电路，其特征在于，包括：退化环形振荡器、非退化环形振荡器以及频率衰减检测电路，所述退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器，所述非退化环形振荡器包括奇数个串行连接的非退化反相器； 所述退化反相器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端及第二输出端，第一输入端和第一输出端的工作电压为低压，第二输入端和第二输出端的工作电压为高压； 所述退化反相器包括：第一晶体管、第二晶体管及隔离耐压器件，第一晶体管为耐压12V~750V的高压功率晶体管，第一晶体管被施加应力电压发生沟道退化，使退化环形振荡器的频率随时间衰减； 第一晶体管的漏极通过隔离耐压器件与第二晶体管的漏极相连，第一晶体管的源极接地，第二晶体管的源极连接高压电源端，第一晶体管的栅极连接所述第一输入端，第一晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第一输出端，第二晶体管的栅极连接所述第二输入端，第二晶体管的漏极与隔离耐压器件之间的节点连接所述第二输出端； 所述频率衰减检测电路用于检测退化环形振荡器随着时间的频率衰减量，在退化环形振荡器相对应的周期中，对非退化环形振荡器的周期个数进行计数，实现对退化反相器中的第一晶体管的沟道退化的监测。

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