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龙图腾网获悉广东晶智光电科技有限公司申请的专利锑化镓晶体生长装置以及生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119710895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411756292.1，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权锑化镓晶体生长装置以及生长方法是由狄聚青;肖溢;李镇宏设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本锑化镓晶体生长装置以及生长方法在说明书摘要公布了：提供一种锑化镓晶体生长装置以及生长方法。锑化镓晶体生长装置包括液封剂补充机构，液封剂补充机构用于采用液封直拉法生长锑化镓晶体时随着晶体的生长补充相应量的NaCl+KCl液封剂熔体。锑化镓晶体生长方法包括步骤：将锑化镓多晶、掺杂剂和液封剂装入长晶坩埚内，液封剂为NaCl+KCl混合固体颗粒；将液封剂NaCl+KCl固体颗粒装入续料坩埚中；抽真空、赶气、检漏；充氮气至炉体内；升温；温度稳定后，晶体生长；随着晶体生长，调节流量开关，使续料坩埚中的液封剂连续地补充流入到长晶坩埚中；晶体生长结束后，长晶坩埚开始降温程序，直至降温结束，续料坩埚停止给长晶坩埚补充液封剂；抽气并注入空气，之后打开炉体，将晶棒剪下。

本发明授权锑化镓晶体生长装置以及生长方法在权利要求书中公布了：1.一种锑化镓晶体生长装置，其特征在于， 锑化镓晶体生长装置100包括液封剂补充机构11，液封剂补充机构11用于采用液封直拉法生长锑化镓晶体时随着晶体的生长补充相应量的NaCl+KCl液封剂熔体； 锑化镓晶体生长装置100还包括控制器12以及长晶坩埚13； 长晶坩埚13用于装入锑化镓多晶和初始NaCl+KCl液封剂； 液封剂补充机构11包括续料坩埚111、第一加热器112、管道113、以及流量开关114， 续料坩埚111用于装入NaCl+KCl补充液封剂； 第一加热器112用于使续料坩埚111升温以形成补充液封剂熔体和使续料坩埚111降温； 管道113的一端连通续料坩埚111而另一端的位于长晶坩埚13的上方以使管道113用于将续料坩埚111内的熔融的补充液封剂熔体在采用液封直拉法生长锑化镓晶体过程中补充到长晶坩埚13内； 流量开关114设置于管道113并通信连接于控制器12，以控制经由管道113输送的补充液封剂的流量； 锑化镓晶体生长装置100还包括测速器和红外测量仪， 测速器用于测量晶体的拉速，测速器通信连接于控制器12； 红外测量仪用于监测提拉过程中晶体的直径、长晶坩埚13的内径，红外测量仪通信连接于控制器12。

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