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龙图腾网获悉西北大学申请的专利一种PFM模式控制的升压转换器及过零检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411887594.2，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权一种PFM模式控制的升压转换器及过零检测电路是由赵武;刘腾飞;李强;赵珂楠;孟一涵;张炜康;吴俊凯;马晓龙;齐晓斐;张远;戴琨;田瑞卓;杨东东设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PFM模式控制的升压转换器及过零检测电路在说明书摘要公布了：本发明提出了一种PFM模式控制的升压转换器及其过零检测电路。过零检测电路由偏置电路和三级比较器构成。三级比较器中，第一级采用共栅极电路，接受过零检测两端输入，适应宽输入范围；第二级为推挽式放大器，接收第一级输出，通过推挽式输入输出加快翻转速度；第三级负责输出过零检测比较结果。在升压转换器系统中，包含模式切换单元、开关逻辑控制单元、驱动控制单元及主电路。模式切换单元依据过零检测电路信号判断是否进入PFM模式；开关逻辑控制单元根据此信号输出逻辑控制指令；驱动控制单元则依据这些指令，控制主电路中的N型、P型功率管的导通与关断。此控制方式结合高精度、高速的过零检测，显著提升了系统的稳定性和响应速度。

本发明授权一种PFM模式控制的升压转换器及过零检测电路在权利要求书中公布了：1.一种PFM模式控制的升压转换器，其特征在于，包括：模式切换单元101、开关逻辑控制单元102、驱动控制单元103、主电路104；其中：所述开关逻辑控制单元102分别与模式切换单元101及所述驱动控制单元103相连，所述模式切换单元101与所述主电路104电感输出电流相连，用于接收所述主电路的电感输出电流，输出过零检测信号，根据过零检测信号的次数判断进入PFM模式；所述开关逻辑控制单元102用于根据所述过零检测信号，恒定导通时间控制信号，输出逻辑控制信号；所述驱动控制单元103用于根据接收到的所述逻辑控制信号，输出驱动控制信号驱动所述主电路104中N型、P型功率管导通和关断； 所述模式切换单元101，包括：过零检测电路、PFM模式使能电路；其中：所述过零检测电路的一端输入作为模式切换单元101的输入端，接收所述主电路104的电感输出电流；所述过零检测电路的一端输出作为所述PFM模式使能电路的输入端，输出过零检测信号；所述所述PFM模式使能电路的输出端作为所述模式切换单元101的输出端，输出PFM模式使能信号； 所述过零检测电路分为两个部分，偏置电路、三级比较器，所述三级比较器包括第一级输入级、第二级放大级、第三级放大级，第一级输入接过零检测两端输入、输出接第二级放大级输入，第二级放大级输出接第三级输出级输入，第三级放大级输出过零检测比较结果； 第一级输入级，由输入对管、钳位管和有源负载组成，包括第一P型MOS管MP4、第二P型MOS管MP5、第三P型MOS管MP6、第四P型MOS管MP7、第五P型MOS管MP8、第一N型MOS管MN5、第二N型MOS管MN6、第三N型MOS管MN4、第四N型MOS管MN7、第五N型MOS管MN8；第一级输入级中第一P型MOS管MP4的源端接所述主电路104中的输出信号VOUT，第二P型MOS管MP5的源端接所述主电路104中的SW信号，第一P型MOS管MP4的漏端接第四P型MOS管MP7的源端，第二P型MOS管MP5的漏端接第五P型MOS管MP8的源端，第一P型MOS管MP4的栅端与第二P型MOS管MP5的栅端接使能信号EN，第三P型MOS管MP6源端接所述主电路104中的输出信号VOUT，第三P型MOS管MP6栅端接第四P型MOS管MP7的栅端与第五P型MOS管MP8的栅端，第三P型MOS管MP6的漏端接第三N型MOS管MN4的漏端，第一N型MOS管MN5的栅极接偏置电路中第一N型MOS管MN1的栅端，第一N型MOS管MN5源端接第四N型MOS管MN7漏端，第二N型MOS管MN6栅端接偏置电路中第一N型MOS管MN1的栅端，第二N型MOS管MN6源端接第五N型MOS管MN8漏端，第三N型MOS管MN4栅端接偏置电路中第三N型MOS管MN3的栅端，第三N型MOS管MN4源端与GND相连，第四N型MOS管MN7栅端接第三N型MOS管MN4栅端、第五N型MOS管MN8栅极接第四N型MOS管MN7栅端，第四N型MOS管MN7的源端与第五N型MOS管MN8的源端和GND相连； 偏置电路，包括第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、电流源IB，第一P型MOS管MP1源端与VDD相连，第一P型MOS管MP1栅端分别与第二P型MOS管MP2的栅端和第三P型MOS管MP3的栅端相连，第一P型MOS管的漏端与电流源IB相连，第二P型MOS管MP2的源端与VDD相连，第二P型MOS管MP2的漏端与第一N型MOS管MN1的漏端相连，第三P型MOS管MP3的源端与VDD相连，第三P型MOS管MP3的漏端与第二N型MOS管MN2的漏端相连，第一N型MOS管MN1的栅端与漏端与第一级输入级中的第一N型MOS管MN5的栅端和第二N型MOS管MN6的栅端相连，第一N型MOS管MN1的源极与GND相连，第二N型MOS管MN2的栅极与漏极和第三N型MOS管MN3的栅极相连，第二N型MOS管MN2的源极与第三N型MOS管MN3的漏端相连，第三N型MOS管MN3栅极与第一级输入级第三N型MOS管MN4栅极相连，第三N型MOS管MN3源极与GND相连。

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