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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119753605B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411858793.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用是由张蜡宝;张梦凡;王昊;陈奇;贾小氢;康琳;吴培亨设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用，该方法首先绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；然后选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；最后根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜。本发明提出一种普适性的制备高阻超导氮化物薄膜的方法，制备的高阻值超导氮化铌薄膜具有显著高于目前氮化铌薄膜材料的电阻率，为制备高饱和量子效率的SNSPD探测提供有利保障。

本发明授权一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；绘制相图时，磁控溅射的工艺条件为：靶基距为30-80mm，气压为0.5-8mTorr，氩气流速为30-120sccm，氮气流速为2-40sccm，直流电源的电流为0.1-3A；记录工作条件下的放电电压； 2选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，从三种磁控溅射模式中确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；选取基本工作模式的条件为：氮化物薄膜厚度为4-10nm，超导转变温度为3-15K，电阻率不小于300μΩ·cm； 3根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜； 所述氮化物为氮化铌，制备氮化铌薄膜的基本工作模式为相图中竞争模式靠近中毒模式的区域，其中，侧重金属性的氮化物薄膜选择金属模式区域，侧重非金属性的氮化物薄膜选择中毒模式区域。

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