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龙图腾网获悉捷捷半导体有限公司申请的专利一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767693B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411867701.5，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法是由黎重林;孙铭顺;朱泽中;张超设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括在N型衬底上沉积外延层，并在外延层的正面注入受主型杂质；在外延层的表面生长氧化层，并在氧化层上打开窗口；由窗口向外延层的正面注入施主型杂质并进行高温扩散处理，得到第一制备件；在第一制备件的表面淀积多晶硅层，通过光刻得到多晶硅场板；对氧化层开设有源区窗口，由窗口向外延层内注入受主型杂质；在外延层内注入重金属杂质并退火，得到第二制备件；对第二制备件的正、背面淀积金属电极层；在正面金属电极层的两侧涂覆聚酰亚胺以形成钝化层。该制备方法能够较好地控制主结区域及场限环区域的范围，降低制备成本，有利于芯片尺寸小型化和产品稳定性。

本发明授权一种可调制载流子分布的快恢复二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种可调制载流子分布的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括： 在N型衬底110上沉积外延层120，并在所述外延层120的正面注入受主型杂质； 在所述外延层120的表面生长氧化层130，并对所述氧化层130对应所述N型衬底110的非主结区域和场限环112设置区域通过光刻工艺开设窗口； 由所述窗口向所述外延层120的正面注入施主型杂质，并对所述外延层120进行高温扩散处理，以使所述受主型杂质和所述施主型杂质均匀扩散，得到第一制备件； 在所述第一制备件的表面淀积多晶硅层，通过光刻得到多晶硅场板140； 对所述氧化层130对应所述N型衬底110的有源区域通过光刻工艺开设有源区窗口，由所述有源区窗口向所述外延层120内注入受主型杂质，以形成欧姆接触区113； 在所述外延层120内注入重金属杂质并退火，得到第二制备件； 对所述第二制备件的正面淀积正面金属电极层150、背面沉积背面金属电极层160，其中所述正面金属电极层150位于所述N型衬底110的主结区域111的顶部； 在所述正面金属电极层150的两侧涂覆聚酰亚胺以形成钝化层170，所述钝化层170覆设于所述多晶硅场板140。

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