中国科学院上海微系统与信息技术研究所郑理获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119918340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411969571.6,技术领域涉及:G06F30/23;该发明授权一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法是由郑理;莫志立;程新红;周学通;沈玲燕设计研发完成,并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法,包括以下步骤:S0获取目标励磁电感和目标漏感;S1计算达到目标励磁电感所需的磁芯气隙长度;S2通过有限元仿真得到未开设气隙时磁芯窗口内的最大漏感Llk0_max和开设所述长度的气隙后的最大漏感Llk_max,进而计算出修正系数kgap;S3根据目标漏感和漏感Llk_max的大小,选择寄生电容较小的绕组排布或全部绕组排布遍历计算,获得匹配目标漏感的最优绕组排布。本发明能够实现低成本、小体积、且版图设计简单的磁集成平面变压器。
本发明授权一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法在权利要求书中公布了:1.一种定制漏感的磁集成平面变压器设计方法,其特征在于,包括以下步骤: S0获取磁集成变压器的绕组参数和磁芯规格、以及目标励磁电感和目标漏感; S1计算达到所述目标励磁电感所需的磁芯气隙长度; S2通过有限元仿真获得未开设磁芯气隙时变压器磁芯窗口内的最大漏感、以及开设所述气隙长度的磁芯气隙后变压器磁芯窗口内的最大漏感,进而计算得到漏感修正系数; S3基于所述最大漏感设定参考区间,若所述目标漏感处于所述参考区间内,则遍历寄生电容较小的绕组排布,计算其中每个绕组排布对应的开设磁芯气隙后变压器磁芯窗口内的漏感,获得匹配所述目标漏感的最优绕组排布,否则枚举全部绕组排列方式,获得匹配所述目标漏感的最优绕组排布; 所述开设磁芯气隙后变压器磁芯窗口内的漏感通过以下方法计算获得: 遵循一维假设,计算未开设磁芯气隙时变压器磁芯窗口内的漏感; 利用漏感修正系数对所述漏感进行修正,获得开设磁芯气隙后变压器磁芯窗口内的漏感; 所述未开设磁芯气隙时变压器磁芯窗口内的漏感通过以下公式计算: 其中,为绕组的平均宽度,为绕组的平均周长,为真空磁导率,为原边绕组中的电流,为原边绕组匝数,为原边绕组厚度,为副边绕组中的电流,为副边绕组匝数,为副边绕组厚度,为绕组或间隔层表面处的磁场强度,为绕组或间隔层内部的磁场强度,为间隔层厚度。
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