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龙图腾网获悉新硅能微电子(苏州)有限公司申请的专利半导体MOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510179669.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体MOS器件是由孙磊;陈译;陆佳顺;杨洁雯设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体MOS器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体MOS器件，包括：位于硅片内且叠置的N型漏极区、轻掺杂N型漂移区，至少2个器件单胞间隔地设置于N型漏极区、轻掺杂N型漂移区内，器件单胞进一步包括位于轻掺杂N型漂移区上部的左部和右部分别具有P型左阱区、P型右阱区；轻掺杂N型漂移区在P型左阱区、P型右阱区之间中心处竖直地设置有一中掺杂N型竖条部，此中掺杂N型竖条部在水平方向上分别与P型左阱区、P型右阱区之间的距离相等；相邻2个器件单胞中一个器件单胞的P型右阱区与另一个器件单胞的P型左阱区之间轻掺杂N型漂移区设置有一沟槽。本发明在避免了器件导通电阻增加的同时，降低了器件由导通到截止的反向恢复时间和损耗。

本发明授权半导体MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体MOS器件，其特征在于：包括：位于硅片1内且叠置的N型漏极区2、轻掺杂N型漂移区3，至少2个器件单胞12间隔地设置于N型漏极区2、轻掺杂N型漂移区3内，所述器件单胞13进一步包括位于轻掺杂N型漂移区3上部的左部和右部分别具有P型左阱区41、P型右阱区42，所述P型左阱区41、P型右阱区42各自的上部分别具有第一源极区51、第二源极区52； 所述轻掺杂N型漂移区3位于P型左阱区41、P型右阱区42之间区域的正上方设置有一栅电极6，此栅电极6左端延伸到第一源极区51与轻掺杂N型漂移区3之间的上方，此栅电极6右端延伸到第二源极区52与轻掺杂N型漂移区3之间的上方； 所述栅电极6与轻掺杂N型漂移区3之间具有一栅氧化层7，所述轻掺杂N型漂移区3在P型左阱区41、P型右阱区42之间中心处竖直地设置有一中掺杂N型竖条部8，此中掺杂N型竖条部8在水平方向上分别与P型左阱区41、P型右阱区42之间的距离相等； 一第一上金属层91位于第一源极区51、第二源极区52上表面，一第二上金属层92位于栅电极6上表面，一下金属层10位于N型漏极区2下表面；相邻所述2个器件单胞12中一个器件单胞12的P型右阱区42与另一个器件单胞12的P型左阱区41之间轻掺杂N型漂移区3设置有一沟槽13，此沟槽13内填充有一绝缘介质柱14。

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