上海华虹宏力半导体制造有限公司张连宝获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种半导体存储装置的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091563B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238202.8，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体存储装置的制备方法是由张连宝;于涛;令海阳;刘冬华;杨辉;黄冲设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体存储装置的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储装置的制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过不设置光阻层和光罩，以对整个基底进行第一次离子注入的方式，以达到缩减形成第一阱区和第二阱区的光罩、光刻等相关工艺的目的，而后再通过后续注入的离子进行的反型离子的中和，达到对应形成导电类型相反的第三阱区和第四阱区，进而达到减少制程工艺的步骤，降低嵌入式闪存芯片的制造成本，以及提高产品竞争力的目的。
本发明授权一种半导体存储装置的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括工作电压不同的第一CMOS器件区和第二CMOS器件区，其中每个CMOS器件区均包括PMOS区和NMOS区； 形成自下而上依次堆叠的浮栅层和掩膜层，位于所述第一CMOS器件区和所述第二CMOS器件区的所述基底上； 对整个所述基底执行第一次离子注入工艺，以在所述第一CMOS器件区中的NMOS区所对应的基底内形成第一阱区； 形成第一光阻层位于所述第一CMOS器件区和所述第二CMOS器件区的PMOS区中的所述掩膜层上； 对所述基底执行第二次离子注入工艺，以在所述第二CMOS器件区中的NMOS区所对应的基底内形成第二阱区； 移除所述第一CMOS器件区和所述第二CMOS器件区中的所述掩膜层和所述浮栅层； 在形成所述第二阱区后，还包括： 形成第二光阻层位于所述第二CMOS器件区和所述第一CMOS器件区的NMOS区中重新露出的所述基底上；以及， 对所述基底执行第三次离子注入工艺，以在所述第一CMOS器件区的PMOS区所对应的基底内形成第三阱区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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