上海华虹宏力半导体制造有限公司张连宝获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种半导体存储装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238886.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权一种半导体存储装置及其制备方法是由张连宝设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体存储装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储装置及其制备方法，应用于半导体制备技术领域。在本发明中，通过在形成逻辑区中高压器件的栅极结构过程，同步在电阻区中形成多晶硅电阻器的多晶硅材料的方式，实现无需额外增加制程工艺的基础上，便可简化多晶硅电阻器的制造方法以及相应的多晶硅电阻器的结构的目的，并为减少硅化物阻止层的相关掩膜版提供了可行性，亦即降低了工艺成本和缩短了制造周期。
本发明授权一种半导体存储装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括存储区、逻辑区和电阻区； 形成第一存储多晶硅层和隔离层，所述第一存储多晶硅层位于所述存储区、所述逻辑区、以及所述电阻区的基底上，所述隔离层位于所述第一存储多晶硅层上； 移除所述逻辑区上的部分所述隔离层和部分所述第一存储多晶硅层，并露出所述逻辑区的部分基底； 形成第二存储多晶硅层位于所述逻辑区的露出的部分基底和所述电阻区的所述隔离层上； 形成导电插塞位于所述电阻区上，所述导电插塞的底部与所述电阻区中的所述第一存储多晶硅层的顶面电连接； 在形成所述导电插塞之前，还包括： 移除所述逻辑区中的部分所述第二存储多晶硅层，以在所述逻辑区上形成至少一分立的栅极结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励