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龙图腾网获悉华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司申请的专利非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120177979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510233064.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置是由袁茜;季一润;袁文迁;槐青;高岩峰;卢毅;李雨;宋鹏;谢丽芳;宁琳如设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置，方法包括：基于预构建的测量阵列采集待检测的多个并联的压接型IGBT产生的磁场强度；基于真空磁导率、IGBT芯片电流以及IGBT芯片至AMR传感器的距离模拟每一个AMR传感器检测到的磁场强度；基于所述每一个AMR传感器检测到的磁场强度，根据每个AMR传感器的磁感应强度计算系数和每个IGBT芯片电流构建当前的磁感应强度计算矩阵；对所述磁感应强度计算矩阵中的IGBT芯片电流进行求解，实现IGBT电流分布测量；本申请能够无需破坏压接型IGBT的封装结构，以非侵入式的方式实时检测压接型IGBT的内部电流分布。

本发明授权非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种非侵入式压接型IGBT电流分布测量方法，其特征在于，所述方法包括： 基于预构建的测量阵列采集待检测的多个并联的压接型IGBT产生的磁场强度，其中，所述待检测的多个并联的压接型IGBT芯片设置于预构建的测量阵列内部的凸台上，所述测量阵列包括多个沿一圆形均匀放置的AMR磁传感器，所述多个并联的压接型IGBT芯片构成的磁场方向沿所述圆形的顺指针或逆时针方向保持一致，所述凸台沿所述圆形的内部同心圆均匀设置； 基于真空磁导率、IGBT芯片电流以及IGBT芯片至AMR传感器的距离模拟每一个AMR传感器检测到的磁场强度； 根据每一个AMR传感器检测到的磁场强度、每个AMR传感器的磁感应强度计算系数和每个IGBT芯片电流构建当前的磁感应强度计算矩阵，其中，所述磁感应强度根据真空磁导率、每一IGBT芯片至每一AMR传感器的距离以及沿竖直方向与距离方向的夹角确定； 对所述磁感应强度计算矩阵中的IGBT芯片电流进行求解，实现IGBT电流分布测量； 所述根据每一个AMR传感器检测到的磁场强度、每个AMR传感器的磁感应强度计算系数和每个IGBT芯片电流构建当前的磁感应强度计算矩阵，包括：基于下述公式构建当前的磁感应强度计算矩阵： ； 其中，B1至Bm为所述每个AMR传感器的磁感应强度；I1至In为所述每个IGBT芯片电流；M11至Mmn为所述每个AMR传感器的磁感应强度计算系数； ； 其中，rmn为所述每一IGBT芯片至每一AMR传感器的距离；θmn为每一IGBT芯片至每一AMR传感器沿竖直方向与距离方向的夹角。

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