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龙图腾网获悉芯合电子(上海)有限公司申请的专利一种缓开启电路及电池控制电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120238110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510219899.4，技术领域涉及：H03K17/296；该发明授权一种缓开启电路及电池控制电路是由李杰;张志平设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种缓开启电路及电池控制电路在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种缓开启电路及电池控制电路，属于电池技术领域。该方案包括：在电池供电场景下，当第一控制信号从低变高瞬间，不是将电源电压直接施加在功率开关的控制端，而是先通过缓开启电路中的电阻对功率开关的栅极电容充电，且充电时间可以通过第一控制信号和第二控制信号精准控制缓开启电路中各MOS管的导通或关断，以精准控制功率开关的栅源电压从0上升到阈值电压的时间，进而精准控制功率开关从关断到导通所耗费的时间，此间电池端口电压变化比较缓慢，且不会低于芯片电压，不会发生芯片因电压过低重启而影响正常功能，从而提高电池控制电路的可靠性。

本发明授权一种缓开启电路及电池控制电路在权利要求书中公布了：1.一种缓开启电路，其特征在于，包括： 功率开关，所述功率开关的一端连接电池，所述功率开关的另一端连接系统供电端； 二极管，所述二极管的阳极连接所述电池； 第一电容，所述第一电容的一端连接所述二极管的阴极； 电阻，所述电阻的一端连接所述第一电容的另一端； 二选一开关，所述二选一开关的第一端连接所述电阻的一端，所述二选一开关的第二端连接电源，所述二选一开关的第三端接地，当第一控制信号为高电平时，所述二选一开关的第一端连接电源，当所述第一控制信号为低电平时，所述二选一开关的第一端接地； 第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一电容的一端，所述第一PMOS管的源极连接所述第一电容的另一端，所述第一PMOS管的漏极连接所述电阻的另一端； 第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接电阻的一端，所述第一NMOS管的源极连接所述电阻的另一端； 第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极连接所述电阻的另一端和所述功率开关的控制端，所述第二NMOS管的漏极通过偏置电路连接电源，所述偏置电路用于为所述第二NMOS管提供偏置电压，以免所述第二NMOS管因过压损坏； 第十一NMOS管，所述第十一NMOS管的栅极通过一反相器连接第一控制信号，所述第十一NMOS管漏极连接所述电阻的另一端，所述第十一NMOS管的源极接地； 第十NMOS管，所述第十NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极，所述第十NMOS管的源极通过第一电流镜接地，所述第十NMOS管的栅极连接第二控制信号，所述第一控制信号和所述第二控制信号从低电平同沿跳变为高电平，持续一段时间后，所述第二控制信号跳变为低电平，软启动过程结束； 第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极连接所述第二NMOS管的源极，所述第三NMOS管的栅极和漏极连接所述第一NMOS管的栅极，且通过第二PMOS管和第二电流镜连接电源； 第十二NMOS管，所述第十二NMOS管的栅极通过另一反相器连接所述第二控制信号，所述第十二NMOS管的漏极连接所述二极管的阴极，所述第十二NMOS管的源极通过所述第一电流镜接地； 其中，当所述第一控制信号和所述第二控制信号为低电平时，所述第十一NMOS管和第十二NMOS管导通，所述第十NMOS管和所述第二NMOS管关断，所述二选一开关的第一端接地，所述第一PMOS管关断，所述功率开关的控制端的电位被拉低为0，所述电池通过所述二极管对所述第一电容充电，所述第一PMOS管的栅极电位VMP1,G满足：VMP1,G=VBAT-VD0，VBAT为所述电池的端口电压，VD0为所述二极管的正向导通电压； 当所述第一控制信号和所述第二控制信号同沿跳变为高电平时，所述第十一NMOS管和第十二NMOS管关断，所述第十NMOS管和所述第三NMOS管导通，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管关断，所述二选一开关连接电源，电源通过所述电阻对所述功率开关的栅极电容充电，所述第二NMOS管从截止区到最终工作在线性区，所述功率开关的栅源电压持续升高至电源电压，所述功率开关导通，所述电源电压为所述电池的端口电压与一固定电压之和； 当所述第一控制信号为高电平，且所述第二控制信号从高电平跳变为低电平时，缓开启过程结束，所述电池正常对系统供电； 所述第一PMOS管、所述第一NMOS管、所述第十一NMOS管、第十二NMOS管和所述第十NMOS管具有第一阈值电压，所述第三NMOS管具有第三阈值电压，第二NMOS管具有第二阈值电压，所述第二阈值电压大于所述第三阈值电压，且小于所述第一阈值电压。

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