南京晶耀芯辉半导体科技有限公司李笑寒获国家专利权
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龙图腾网获悉南京晶耀芯辉半导体科技有限公司申请的专利一种高速光通讯的外延芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120357266B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510534314.8，技术领域涉及：H01S5/125；该发明授权一种高速光通讯的外延芯片结构是由李笑寒;陈冠廷;怀辰;李延年;程琳设计研发完成，并于2025-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速光通讯的外延芯片结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高速光通讯的外延芯片结构，从下至上依次包括：第一布拉格反射层、N型InP层、第一InAlAs披覆层、第二InAlAs披覆层、P型InP层、P型InGaAsP层、P型InGaAs层以及第二布拉格反射镜层，在第一InAlAs披覆层的下端面上设有氧化物电流隔绝层，在氧化物电流隔绝层的中部设有第一开口区，通过第一开口区露出第一InAlAs披覆层，在开口区中成长一激光器主动层，第二InAlAs披覆层成长于激光器主动层和氧化物电流隔绝层之上。本发明在外延结构中制作氧化物电流隔绝层，可直接有效并稳定地控制电流范围进而实现达成其效能，而且在于高电流密度时，芯片效能亦比使用穿隧式PN结设计更佳。
本发明授权一种高速光通讯的外延芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种高速光通讯的外延芯片结构，其特征在于：从下至上依次包括：第一布拉格反射层1、N型InP层2、第一InAlAs披覆层3、第二InAlAs披覆层4、P型InP层5、P型InGaAsP层6、P型InGaAs层7以及第二布拉格反射镜层8， 在第一InAlAs披覆层3的下端面上设有氧化物电流隔绝层9，在氧化物电流隔绝层9的中部设有第一开口区，通过第一开口区露出第一InAlAs披覆层3，在开口区中成长一激光器主动层10，第二InAlAs披覆层4成长于激光器主动层10和氧化物电流隔绝层9之上。
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