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龙图腾网获悉江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请的专利一种氮化铝薄膜电路基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120505620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510669194.2，技术领域涉及：C23C28/02；该发明授权一种氮化铝薄膜电路基板及其制备方法是由高远;王斌;武威;杨骆设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化铝薄膜电路基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化铝薄膜电路基板及其制备方法，涉及氮化铝基板技术领域。本发明通过磁控溅射对氮化铝陶瓷基板表面依次镀钛、镀铜处理，配合化学镀镍法制备出氮化铝薄膜电路基板。通过钛铜梯度动态过渡技术，形成梯度合金层以减少界面应力，钛与氮化铝表面通过化学键结合，形成致密过渡层，缓解热膨胀系数差异，铜在氮化铝陶瓷基板的表面增强了其导电性能，钛弥补了铜与氮化铝陶瓷晶格不匹配的界面缺陷；通过化学镀镍，增强了氮化铝陶瓷基板的硬度与耐腐蚀性，且赋予氮化铝薄膜基板的可焊性与键合性。

本发明授权一种氮化铝薄膜电路基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝薄膜电路基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：钛铜种子层制备：取氮化铝陶瓷基板，进行磁控溅射，在氮化铝陶瓷基板的表面依次沉积铜层、钛层，形成钛铜种子层，得到氮化铝陶瓷基板A； S2：化学镀镍：取S1中得到的氮化铝陶瓷基板A，置于化学镀镍液中，在钛铜种子层的表面进行化学镀镍，形成镍层，得到复合氮化铝陶瓷基板； S3：真空烧结：将S2中得到的复合氮化铝陶瓷基板进行真空烧结，随炉冷却至室温，形成薄膜，得到复合氮化铝陶瓷基板B； S4：化学蚀刻：在S3中得到的复合氮化铝陶瓷基板B的表面铺设感光膜，曝光、显影，化学蚀刻，形成薄膜电路，得到氮化铝薄膜电路基板； 步骤S2中，化学镀镍液包括以下质量组分：5%~15％的七水硫酸镍、2%~8％的次磷酸钠、1%~5.5％的三水合醋酸钠、3%~7%柠檬酸钠，其余为纯水；镍层厚度为2~20μm；所述化学镀镍液还包括1%~4%的氧化铝； 步骤S4中，化学蚀刻所使用的蚀刻液包括以下质量组分：1%～7%的含氟化合物、10%~25%的脱镍粉、1%~5%缓蚀剂，余量为纯水； 步骤S1的工艺如下： 首先将氮化铝陶瓷基板放入NaOH溶液中清洗，放入氮气气氛的烘箱中烘干，热处理；然后采用直流磁控溅射依次溅射铜、钛，靶功率100~150W，基底负偏压-90V~-70V，氩气流量30~40sccm，工作气压0.3~0.5Pa，沉积时间20~30min，通过梯度动态过渡技术，减小铜靶功率逐渐提高钛靶功率，铜溅射功率由100~150W降到0W，钛溅射功率由0W升到100~150W，关闭铜靶后，以钛靶100~150W功率继续溅射10~30min，热处理，得到氮化铝陶瓷基板A； 所述梯度动态过渡技术的工艺条件为：动态过渡的速率为7.5~15Wmin，时间为10~15min。

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