合肥睿科微电子有限公司陈朝阳获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥睿科微电子有限公司申请的专利一种制造集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120584560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380092223.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种制造集成电路的方法是由陈朝阳;张文雄;陈泽志;吕志超设计研发完成，并于2023-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制造集成电路的方法在说明书摘要公布了：提供了一种包括存储区和非存储区的单一集成电路。存储区包括第一导电结构、设于第一导电结构上的存储元件以及设于存储元件上的第一通孔。非存储区包括第二导电结构以及设于第二导电结构上的第二通孔。第一导电结构和第二导电结构通过包括第一光掩模的第一光刻工艺形成，第一导电结构用作存储区内的第一底电极。第一通孔和第二通孔通过包括第三光掩模的第三光刻工艺形成。第一光掩模和第三光掩模包括相同图案。
本发明授权一种制造集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路的方法，其特征在于，包括： 在半导体晶圆上定义存储区和非存储区； 在所述存储区内的第一底部金属层和所述非存储区内的第二底部金属层上沉积第一层间介质层； 通过以包括第一光掩模的第一光刻工艺刻蚀所述第一层间介质层，在所述存储区内形成第一导电结构，并在所述非存储区内形成第二导电结构，其中，所述第一导电结构用作所述存储区内的第一底电极； 在所述存储区和所述非存储区内沉积存储层叠体层； 通过以包括第二光掩模的第二光刻工艺刻蚀所述存储层叠体层，在所述存储区内形成存储元件； 在所述存储区和所述非存储区内沉积第二层间介质层；以及 通过以包括第三光掩模的第三光刻工艺刻蚀所述第二层间介质层，在所述存储区内形成第一通孔，并在所述非存储区内形成第二通孔，其中，所述第一光掩模和所述第三光掩模包括相同图案。
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