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龙图腾网获悉武汉静磁栅机电制造有限公司申请的专利一种高精度长行程大间隙位移传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120907415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511173051.9，技术领域涉及：G01B7/02；该发明授权一种高精度长行程大间隙位移传感器是由周金波;杨艳娟;廖丽;查智慧设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度长行程大间隙位移传感器在说明书摘要公布了：本发明属于位移传感器技术领域，尤其涉及一种高精度长行程大间隙位移传感器，包括读数头，读数头内等距线性排列有多个磁传感器及信号传输模块，读数头与测量杆组件平行设置，测量杆组件内设有磁体，读数头与测量杆组件之间感应间隙在10‑70毫米之间，读数头通过支撑组件与移动设备连接，读数头跟随移动设备移动时，磁传感器会产生与磁体长度大致相同的线性变化的磁场，通过对线性磁场的解析监测位置变化，使用磁传感器在机械系统中进行位置检测可以实现精确控制，多个磁传感器等距线性排列安装在读数头内，可在较长距离的测量中进行位移解析，在感应间隙为10‑70毫米的情况下，即便移动设备在移动过程中有轻微浮动，也不会影响测量精度。

本发明授权一种高精度长行程大间隙位移传感器在权利要求书中公布了：1.一种高精度长行程大间隙位移传感器，其特征在于，包括读数头19，读数头19内等距线性排列有多个磁传感器及信号传输模块，读数头19与测量杆组件平行设置，测量杆组件内设有磁体，读数头19与支撑组件固定安装，支撑组件上设置的调节组件位于读数头19下端，读数头19与测量杆组件之间感应间隙在10-70毫米之间； 磁传感器阵列中受磁场影响只有四个磁传感器发生动作，其它磁传感器无动作，将发生动作的磁传感器按照顺序记作动作磁传感器一、动作磁传感器二、动作磁传感器三、动作磁传感器四，然后采用自适应间隙算法根据动作磁传感器的输出数据进行数据处理特征分析，通过实验分析确定在磁体间隙一定的情况下移动磁体位移时，只有动作磁传感器一和动作磁传感器四在磁体间隙一定的情况下移动磁体位移时计算出的第一误差因子的稳定性最好，为保证磁传感器的第一误差因子的稳定，根据动作磁传感器一和动作磁传感器四通过如下公式进行磁传感器的误差补偿分析，得到磁传感器的第一误差因子： 其中，为动作磁传感器一在磁体的影响下输出的磁场变化数据值；为动作磁传感器四在磁体的影响下输出的磁场变化数据值；为第一中间量；为第二中间量；为特征值；为磁传感器的第一误差因子，接着，针对磁传感器获取理想状态下的输出值，得到动作磁传感器理想输出值，将动作磁传感器理想输出值结合动作磁传感器实际输出值进行磁传感器灵敏度误差确定，同时基于磁场情况获取动作磁传感器偏移误差，从而根据动作磁传感器偏移和灵敏度通过如下公式进行动作磁传感器误差分析，得到动作磁传感器的第二误差因子： 其中，为动作磁传感器理想输出值；为动作磁传感器灵敏度误差；为动作磁传感器偏移误差；为动作磁传感器的第二误差因子； 利用动作磁传感器的第一误差因子和动作磁传感器的第二误差因子通过针对动作磁传感器的输出数据进行校正，其中，为动作磁传感器校正后的输出数据，为动作磁传感器的输出数据，为动作磁传感器的第一误差因子，为动作磁传感器的第二误差因子；然后再利用MATLAB将动作磁传感器校正后的输出数据拟合为对应的位移。

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