广东芯聚能半导体有限公司王钦获国家专利权
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龙图腾网获悉广东芯聚能半导体有限公司申请的专利功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120933240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511462033.2，技术领域涉及：H10W76/12；该发明授权功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法是由王钦;崔晓;冯炜健;闫鹏修;李博强;钟伊凡设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法，属于半导体技术领域。该封装结构包括外壳、基板、功率模块芯片和NTC热敏电阻，其中，外壳通过螺栓与基板固定连接，功率模块芯片和NTC热敏电阻安装于基板上；外壳上开设有观测孔阵列，观测孔阵列位于功率模块芯片上方，用于为功率模块芯片的芯片结温提供红外测温通道；NTC热敏电阻用于检测功率模块芯片的芯片NTC温度信号。本申请实施例能够提高结温测量精度，直接检测芯片实际工作时的实际结温。
本发明授权功率模块芯片结温内置NTC的封装结构及芯片测温方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片测温方法，应用于功率模块芯片结温内置NTC的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括外壳、基板、功率模块芯片和NTC热敏电阻，其中，所述外壳通过螺栓与所述基板固定连接，所述功率模块芯片和所述NTC热敏电阻安装于所述基板上； 所述外壳上开设有观测孔阵列，所述观测孔阵列位于所述功率模块芯片上方，用于为所述功率模块芯片的芯片结温提供红外测温通道； 所述NTC热敏电阻用于检测所述功率模块芯片的芯片NTC温度信号； 所述芯片测温方法包括： 通过观测孔阵列对功率模块芯片进行红外测温，得到芯片结温； 通过NTC热敏电阻对所述功率模块芯片进行NTC温度检测，得到芯片NTC温度信号； 对所述芯片结温与所述芯片NTC温度信号的关系进行曲线拟合，得到芯片温升映射关系； 基于所述芯片温升映射关系，根据当前芯片NTC温度信号进行温度转换以消除所述功率模块芯片与所述NTC热敏电阻之间的温差，得到当前芯片结温。
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