上海维安半导体有限公司霍田佳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种硅电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511544460.5，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种硅电容器及其制备方法是由霍田佳;赵德益;蒋骞苑;吕海凤;彭阳;严林;郑彩霞设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及硅电容技术领域，具体涉及一种硅电容器及其制备方法，包括：衬底、沟槽区和多个分立的绝缘浮岛；所述绝缘浮岛由绝缘材料制成；所述沟槽区中的每个导电沟槽的底部与所述绝缘浮岛接触，以消除所述导电沟槽的底部角隅处发生的电场聚集效应。针对现有技术中的硅电容器沟槽底端角隅处容易出现击穿的问题，在每个导电沟槽的底端引入了绝缘浮岛进行接触，从而变相增加了每个导电沟槽在底部，特别是角隅处的绝缘介质厚度，降低了沟槽底部因工艺缺陷导致出现绝缘介质薄弱点，进而影响耐压、容易被击穿的风险，同时，通过较厚的绝缘浮岛改善了导电沟槽底端的电场分布，避免出现电场聚集区域，进一步降低了被击穿的风险。
本发明授权一种硅电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅电容器，其特征在于，包括衬底、沟槽区和多个分立的绝缘浮岛； 所述绝缘浮岛由绝缘材料制成； 所述沟槽区中的每个导电沟槽的底部被所述绝缘浮岛包裹，以消除所述导电沟槽的底部角隅处发生的电场聚集效应，并对所述导电沟槽底部的介质层进行厚度补偿； 所述衬底的上方还形成有多晶硅过渡层，所述多晶硅过渡层覆盖所述绝缘浮岛； 所述多晶硅过渡层的上方形成有外延层； 所述外延层中形成有多个所述导电沟槽； 所述导电沟槽的沟槽深度穿过所述外延层和所述多晶硅过渡层到达所述绝缘浮岛； 所述导电沟槽的内壁和所述外延层的顶端形成有介质层； 所述导电沟槽内填充有导电层； 所述导电层完整填充所述导电沟槽并在所述介质层的上方连为一体； 所述导电层的上方形成有上电极； 所述衬底的下方形成有下电极； 所述绝缘浮岛的材质与所述介质层相同，以对所述介质层在角隅处的厚度进行补偿。
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