通威微电子有限公司钟皎月获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅微粉及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121063535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511596197.4，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种碳化硅微粉及其制备方法是由钟皎月;王军设计研发完成，并于2025-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅微粉及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅微粉及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括按比例将硅单质和碳单质在真空环境下反应，制得第一碳化硅粉料；将第一碳化硅粉料制成D50为0.5mm‑2.5mm的第二碳化硅粉料，并对第二碳化硅粉料进行清洗，制得碳化硅微粉；其中，清洗包括磁场协同脉冲场的电化学清洗。清洗处理中无氟离子、氯离子的引入，中性的电解液无挥发性酸的产生；阴极沉积富集金属杂质如Fe、Cr，回收率≥95%，重金属近零排放；臭氧由闭环系统持续加入，未充分反应的臭氧经催化剂转化为O2排出，废气产生量得到有效控制；清洗处理后的废水经简易中和后可达GB8978‑2002一级排放标准，有望得到推广应用。
本发明授权一种碳化硅微粉及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 按比例将硅单质和碳单质在真空环境下反应，制得第一碳化硅粉料； 将所述第一碳化硅粉料制成D50为0.5mm-2.5mm的第二碳化硅粉料，并对所述第二碳化硅粉料进行清洗，制得碳化硅微粉；其中，所述清洗包括磁场协同脉冲场的电化学清洗；所述电化学清洗的过程中，电极置于碳化硅微粉和电解液的混合体系中； 所述碳化硅微粉在强度为0.1T-1T的旋转磁场下形成涡流强度为104s-1-106s-1的涡流场； 所述脉冲场的频率为10Hz-100Hz，占空比为30%-70%，峰值电压为15V； 清洗过程中，持续向所述电解液中加入氧化剂；其中，所述电解液包括浓度为0.08molL-0.2molL的碳酸盐溶液，所述氧化剂包括5ppm-50ppm的臭氧。
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