芯来智融半导体科技(上海)有限公司彭剑英获国家专利权
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龙图腾网获悉芯来智融半导体科技(上海)有限公司申请的专利数据读写方法、系统、计算机设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121070285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511588066.1,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权数据读写方法、系统、计算机设备和存储介质是由彭剑英;胡振波;徐向阳设计研发完成,并于2025-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本数据读写方法、系统、计算机设备和存储介质在说明书摘要公布了:本申请涉及计算机技术领域,具体地,涉及一种数据读写方法、系统、计算机设备和存储介质。该数据读写方法至少包括:获取所述主设备中的待处理数据,并将所述待处理数据拆分为多个数据单元;确定各数据单元中数据的数据行为;若所述数据行为为读数据行为,则将所述读数据行为对应的数据预取至所述高速缓冲存储器;若所述数据行为为写数据行为,则将对应的数据写入所述主存储器;目标设备执行所述读数据行为时,基于读行为标识从所述高速缓冲存储器读取所述读数据行为对应的数据;所述目标设备执行所述写数据行为时,基于写行为标识将对应的数据写入所述主存储器。提供了一种效率更高的数据读写方法。
本发明授权数据读写方法、系统、计算机设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种数据读写方法,其特征在于,应用于SOC缓存系统,所述SOC缓存系统至少包括:主存储器和高速缓冲存储器,所述方法至少包括: 获取主设备中的待处理数据,并将所述待处理数据拆分为多个数据单元;其中,所述数据单元为缓存单元; 确定各数据单元中数据的数据行为;其中,所述数据行为至少包括读数据行为和写数据行为中的至少一种; 若所述数据行为为读数据行为,则将所述读数据行为对应的数据预取至所述高速缓冲存储器;若所述数据行为为写数据行为, 将所述写数据行为对应的数据预取至预先配置的临时存储单元;若所述写数据行为对应的数据可以写满所述高速缓冲存储器中的数据单元,则控制所述临时存储单元中所述写数据行为对应的数据写入所述高速缓冲存储器; 若所述高速缓冲存储器中写入的新数据替换掉所述高速缓冲存储器中的旧数据,则控制所述高速缓冲存储器通过所述临时存储单元将所述旧数据存储至所述主存储器; 若所述写数据行为对应的数据无法写满所述高速缓冲存储器中的数据单元,则控制所述临时存储单元将从所述高速缓冲存储器或主存储器中读取的数据和所述写数据行为对应的数据合并打包后写入所述高速缓冲存储器; 目标设备执行所述读数据行为时,基于读行为标识从所述高速缓冲存储器读取所述读数据行为对应的数据;所述目标设备执行所述写数据行为时,基于写行为标识将对应的数据写入所述主存储器。
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