浙江晶科能源有限公司张晓攀获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利背接触电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121078805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511614703.8，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权背接触电池及其制备方法和光伏组件是由张晓攀;王文睿;杨力春;王茹;黄纪德;刘长明;张昕宇设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背接触电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触电池包括掺杂磷元素和锑元素的N型硅片、N型重掺杂区、P型掺杂导电层和N型掺杂导电层。N型重掺杂区形成于N型硅片的背面内部的局部区域，N型重掺杂区的掺杂浓度大于N型硅片内部的其它区域的掺杂浓度；P型掺杂导电层设于N型硅片的背面的第一区域，其中，P型掺杂导电层对应于N型重掺杂区上方设置，其中，在硅片厚度方向上，P型掺杂导电层与N型重掺杂区的投影区至少部分重叠；N型掺杂导电层设于N型硅片的背面的第二区域，N型掺杂导电层与P型掺杂导电层相互隔离，第二区域为N型硅片的背面除第一区域外的其它区域，提高了背接触电池的效率。
本发明授权背接触电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 掺杂磷元素和锑元素的N型硅片； N型重掺杂区，形成于所述N型硅片的背面内部的局部区域，所述N型重掺杂区的掺杂浓度大于所述N型硅片内部的其它区域的掺杂浓度； P型掺杂导电层，设于所述N型硅片的背面的第一区域，其中，所述P型掺杂导电层对应于所述N型重掺杂区上方设置，其中，在硅片厚度方向上，所述P型掺杂导电层与所述N型重掺杂区的投影区完全重叠； N型掺杂导电层，设于所述N型硅片的背面的第二区域，所述N型掺杂导电层与所述P型掺杂导电层相互隔离，所述第二区域为所述N型硅片的背面除所述第一区域和隔离槽外的其它区域； 所述隔离槽位于所述P型掺杂导电层与所述N型掺杂导电层之间，以隔离所述P型掺杂导电层和所述N型掺杂导电层。
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