苏州晶歌半导体有限公司颜建获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶歌半导体有限公司申请的专利一种红光Micro-LED及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121099800B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511648257.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种红光Micro-LED及其制作方法是由颜建设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红光Micro-LED及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种红光Micro‑LED及其制作方法。所述红光Micro‑LED包括：衬底10；设置于所述衬底10之上的AlGaInP势垒层；层叠于所述AlGaInP势垒层上的InP量子点肼层14。相对于传统的基于AlGaInP量子阱的器件结构，本发明提出的InP量子点阱层能够将载流子限制在InP量子点中发光，从而抑制了载流子的横向扩散，可有效的抑制Micro‑LED中的侧壁复合，提高Micro‑LED的发光效率。
本发明授权一种红光Micro-LED及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红光Micro-LED，其特征在于，所述红光Micro-LED包括： 衬底10； 设置于所述衬底10之上的AlGaInP势垒层； 层叠于所述AlGaInP势垒层上的InP量子点肼层14； 其中，所述红光Micro-LED还包括N型接触层11，N型阻挡层12，下AlGaInP势垒层13，上AlGaInP势垒层15，P型阻挡层16，P型导电层17，P型窗口层18，第一电极19以及第二电极20； 其中，所述N型接触层11、所述N型阻挡层12、所述下AlGaInP势垒层13、所述InP量子点肼层14、所述上AlGaInP势垒层15、所述P型阻挡层16、所述P型导电层17以及所述P型窗口层18沿远离所述衬底10的方向依序层叠于所述衬底10上，所述第一电极19设置在所述P型窗口层18上，所述第二电极20与N型接触层11接触。
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