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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121118473B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511663356.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法及相关设备是由刘周全;郭可升;林冠庭;祝经明;胡强设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法及相关设备在说明书摘要公布了：本申请属于紫外光电探测器技术领域，公开了一种垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法及相关设备，包括建立几何模型、设定材料参数、耦合半导体场和静电场并进行仿真计算，能够有效解决现有技术中依赖实际器件制备所带来的高成本、耗时、关键参数影响难以量化以及光生载流子输运行为难以观测等问题；该方法通过仿真模拟紫外光穿透透明电极并照射到金刚石层，同时收集光生载流子输出光电流的过程，能够获取电子浓度分布、空穴浓度分布和电势分布等仿真结果数据，为研发人员提供了直观、量化的参考信息，能够有效指导探测器结构优化和设计改进，避免了传统研发模式的盲目性，显著提升了研发效率和器件性能。

本发明授权垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种垂直型金刚石紫外光电探测器仿真分析方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： A1.建立反映垂直型金刚石紫外光电探测器主要结构的几何模型；所述几何模型包括从上到下依次叠置的透明顶电极、金刚石光吸收层和肖特基底电极； A2.设定所述几何模型的材料参数；所述材料参数包括光学参数和电学参数； A3.在所述几何模型中耦合半导体场和静电场，并设置对应的边界条件；其中，所述静电场用于提供电位分布，所述半导体场用于处理载流子的复合和生成； A4.对所述几何模型进行网格划分并进行仿真计算，获取用于辅助探测器设计改进的仿真结果数据； 步骤A3中，对半导体场的设置包括： 定义金刚石光吸收层的基本属性：包括设置金刚石光吸收层的折射率及半导体特性参数； 设置载流子复合机制：采用Shockley-Read-Hall模型，以模拟载流子通过陷阱的复合过程； 设置载流子生成机制：在载流子生成节点，定义由紫外光激发产生的电子与空穴的生成率均为5.1e32m-3·s-1； 设置半导体场的边界条件：把金刚石光吸收层的上表面设为半导体场的上边界，并把该上边界的接触类型定义为理想肖特基接触，以及设置该上边界的肖特基势垒高度为0.6V；把金刚石光吸收层的下表面设为半导体场的下边界，并把该下边界的接触类型定义为理想欧姆接触，以及设置该下边界的电压为-0.5V； 步骤A3中，对静电场的设置包括： 设置静电场的边界条件：将肖特基底电极的下表面设置为静电场的接地边界；将透明顶电极的上表面设置为电势边界，并设置该电势边界的电势值为-0.5V。

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