华北电力科学研究院有限责任公司;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司梁伟宸获国家专利权
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龙图腾网获悉华北电力科学研究院有限责任公司;国网冀北电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司申请的专利三相T型三电平逆变器装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121124593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511653356.X，技术领域涉及：H02M7/483；该发明授权三相T型三电平逆变器装置及控制方法是由梁伟宸;马鑫晟;李国武;李雨;许竞;王泽众;刘珅;宗瑾设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本三相T型三电平逆变器装置及控制方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三相T型三电平逆变器装置及控制方法，所述方法包括：采用SiC‑IGBT替代传统Si‑IGBT以提升其耐压和高温稳定性，并结合Si‑MOSFET构建混合开关结构，利用Si‑MOSFET在轻载时的低导通损耗特性，与SiC‑IGBT在重载时的高效性能形成互补。其次，建立T型三电平逆变器的离散时间数学模型。然后，基于复合混沌映射、动态收敛因子和动态位置更新策略对ChOA进行改进，并基于改进后的ChOA优化FCS‑MPC中的参数。最后，根据更新后的最优控制参数，基于FCS‑MPC实现T型三电平逆变器的多目标高性能控制。以此实现电流跟踪、中点电压平衡、共模电压控制和开关损耗抑制的协同优化。
本发明授权三相T型三电平逆变器装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种三相T型三电平逆变器装置，其特征在于，所述装置包括： 三相桥臂，所述三相桥臂中每相桥臂包含至少四个混合开关单元； 每相桥臂在水平方向上的至少两个混合开关单元通过内部开关组件构成两组结构对称的串联支路，所述串联支路由至少两个同类型的内部开关组件，且两组所述串联支路并联后接入直流侧电容中点； 其中，所述混合开关单元由SiC-IGBT与Si-MOSFET两种内部开关组件构成，所述SiC-IGBT的发射极与所述Si-MOSFET的源极共接至交流输出端，所述SiC-IGBT的集电极与所述Si-MOSFET的漏极共接直流母线； 所述三相桥臂中每相桥臂垂直方向的混合开关单元由SiC-IGBT与Si-MOSFET并联构成。
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