安徽大学胡薇获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511704949.4，技术领域涉及：H10B51/40；该发明授权一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法是由胡薇;杨朔;卢文娟;彭春雨;戴成虎;吴秀龙设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法。单元包括FeFET晶体管F1、F2和NMOS晶体管M0。F1的源极连接至位线BL，F2的源极连接至位线BLB，栅极与F1的栅极共同连接至字线WL，漏极与F1的漏极共同连接至节点X。M0的栅极连接节点X，漏极接地，源极连接至共享电荷线Scl。F1、F2被配置为存储权重位，并通过在WL施加读取电压，在BL和BLB施加对应于输入位的电压，使得Scl的电压电平输出同或逻辑计算结果。阵列包括以m行×n列排列的多个同或计算单元。每个单元的WL和Scl端每列共享，BL和BLB每行共享。本发明简化了阵列字线的控制外围电路，有效的避免了电流的可变性，有效的解决了硬件开销等问题。
本发明授权一种基于FeFET的同或计算单元、阵列及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于FeFET的同或计算单元，其特征在于，其包括： FeFET晶体管F1，其源极连接至位线BL； FeFET晶体管F2，其源极连接至位线BLB，栅极与F1的栅极共同连接至字线WL，漏极与F1的漏极共同连接至节点X； NMOS晶体管M0，其栅极连接节点X，漏极接地，源极连接至共享电荷线Scl； 其中，F1、F2被配置为存储一个权重位，并通过在WL施加读取电压，在BL和BLB施加对应于输入位的电压，使得Scl的电压电平输出所述权重位与所述输入位的同或逻辑计算结果。
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