江西萨瑞半导体技术有限公司余快获国家专利权
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龙图腾网获悉江西萨瑞半导体技术有限公司申请的专利一种超结MOS晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121174572B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511714344.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种超结MOS晶体管及其制备方法是由余快;杜天伦;李运鹏设计研发完成，并于2025-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超结MOS晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结MOS晶体管及其制备方法，通过设置衬底以及沉积在衬底上的N型外延层，N型外延层的两侧开设有第一沟槽，第一沟槽内填充有P型外延层，N型外延层中部开设有第二沟槽，第二沟槽内有呈左右结构设置的处于隔离状态的N+多晶硅和P+多晶硅，第二沟槽外的N型外延层和P型外延层内依次设置P型区域和N型区域，靠近衬底方向的为P型区域；将N+多晶硅和P+多晶硅电性连接，形成栅极，具体的，N+多晶硅处的阈值电压小，P+多晶硅处的阈值电压大，当在栅极上施加一个正向电压时，阈值电压小的沟道导通速度快，阈值电压大的沟道还未导通，所以N+多晶硅处开启过程中产生的热量可以通过P+多晶硅沟道的区域进行热扩散。
本发明授权一种超结MOS晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结MOS晶体管，其特征在于，所述超结MOS晶体管包括衬底以及沉积在所述衬底上的N型外延层，所述N型外延层的两侧开设有第一沟槽，所述第一沟槽内填充有P型外延层，所述N型外延层中部开设有第二沟槽，所述第二沟槽内有呈左右结构设置的处于隔离状态的N+多晶硅和P+多晶硅，所述第二沟槽外的所述N型外延层和所述P型外延层内依次设置P型区域和N型区域，靠近所述衬底方向的为所述P型区域； 其中，将所述N+多晶硅和所述P+多晶硅电性连接，形成栅极； 所述N+多晶硅和所述P+多晶硅通过氧化层隔离； 所述P+多晶硅靠近所述N+多晶硅的氧化层厚度与所述P+多晶硅远离所述N+多晶硅的氧化层厚度不同。
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