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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121192507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511727251.4，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由侯继达;魏明设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光器及其制备方法。制备方法包括：在衬底层的一侧表面形成外延结构，包括缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层和欧姆接触层；对外延结构进行刻蚀形成至少包括欧姆接触层、第二限制层和部分第二波导层的脊形结构；在脊形结构两侧形成高阶横模抑制区，包括晶格损伤结构和或非辐射复合中心；在外延结构上覆盖具有电流注入窗口的绝缘层；形成位于绝缘层上与极性结构连接的第一电极和位于衬底层背离外延结构一侧的第二电极。本发明中，利用高阶横模抑制区对高阶模光场造成散射及湮灭高阶模光场区域的载流子，从而抑制高阶模，提升基模的无扭结功率水平。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底层的一侧表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠设置的缓冲层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层和欧姆接触层； 对所述外延结构背离所述衬底层的一侧进行刻蚀处理，以形成沿第一方向延伸的脊形结构，所述脊形结构至少包括所述欧姆接触层、所述第二限制层和部分厚度的所述第二波导层； 沿第二方向在位于所述脊形结构两侧的所述外延结构中，通过多次离子注入的方式形成高阶横模抑制区，所述高阶横模抑制区包括晶格损伤结构和非辐射复合中心，且至少伸入部分的所述第二波导层中，所述第二方向与所述第一方向呈预设夹角；所述高阶横模抑制区的注入离子包括第一离子组和第二离子组，所述第一离子组适于在所述高阶横模抑制区形成晶格损伤结构，所述第二离子组适于在所述高阶横模抑制区中形成晶格损伤结构和具有深能级缺陷的非辐射复合中心；所述第一离子组包括氢离子、氩离子和氧离子，所述第二离子组包括：氧离子、铜离子、铁离子、铬离子、硅离子、钛离子和硒离子，其中，所述第二离子组中的氧离子适于在与所述第一离子组中的氧离子具有不同的注入能量和剂量时，形成晶格损伤结构和具有深能级缺陷的非辐射复合中心；在所述第二方向上，所述高阶横模抑制区的尺寸范围为5μm~200μm，且所述高阶横模抑制区靠近所述脊形结构的一侧边缘与所述脊形结构的边缘之间的距离范围为0~10μm；所述高阶横模抑制区未进行退火处理； 在所述外延结构上覆盖绝缘层，所述绝缘层包括露出至少部分所述脊形结构的电流注入窗口； 形成第一电极和第二电极，所述第一电极形成于在所述绝缘层上，且通过所述电流注入窗口与所述脊形结构连接；所述第二电极位于所述衬底层背离所述外延结构的一侧。

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