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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利偏压装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121204620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511784957.4，技术领域涉及：C23C14/34；该发明授权偏压装置是由欧阳军晨;张陈斌;葛青涛;谢士博;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本偏压装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种偏压装置，包括：载台主体；载台，设置在载台主体上；所述载台主体和载台能够升降；绝缘导热盘，设置在载台上，绝缘导热盘的上表面用于承载晶圆；在载台主体、载台和绝缘导热盘中对应设有顶针孔；绝缘顶针，穿设在载台主体、载台和绝缘导热盘中的顶针孔中；当载台主体、载台和绝缘导热盘下降时，绝缘顶针的上端能够露出绝缘导热盘中的顶针孔；绝缘环，套设在载台的边缘区域；绝缘环的内侧上部侧壁与绝缘导热盘侧壁相切；绝缘导热盘的上表面比绝缘环内侧上部的上表面高出一个第一垂直距离；遮件环，套设在绝缘环的外侧上部。本发明能够对晶圆进行快速散热，同时解决了晶圆与绝缘环之间打火等问题。

本发明授权偏压装置在权利要求书中公布了：1.一种用于自电离等离子体物理气相沉积工艺的偏压装置，其特征在于，包括： 载台主体1，用于承载载台2； 载台2，设置在载台主体1上，载台2与载台主体1之间绝缘；所述载台主体1和载台2能够升降； 绝缘导热盘8，设置在载台2上，绝缘导热盘8的上表面用于承载晶圆7；绝缘导热盘8的下表面与载台2的上表面贴合；在载台主体1、载台2和绝缘导热盘8中对应设有顶针孔； 绝缘顶针5，穿设在载台主体1、载台2和绝缘导热盘8中的顶针孔中；当载台主体1、载台2和绝缘导热盘8下降时，绝缘顶针5的上端能够露出绝缘导热盘8中的顶针孔；当载台主体1、载台2和绝缘导热盘8上升时，绝缘顶针5的上端能够缩回绝缘导热盘8或载台2或载台主体1中的顶针孔； 绝缘环3，套设在载台2的边缘区域；绝缘环3的内侧上部301侧壁与绝缘导热盘8侧壁相切；绝缘导热盘8的上表面比绝缘环3内侧上部301的上表面高出一个第一垂直距离； 遮件环4，套设在绝缘环3的外侧上部303； 所述绝缘顶针5呈T型，绝缘顶针5包括一体构造的帽顶501和顶针杆部502；所述绝缘导热盘8上表面设有容置帽顶501的容置槽；所述容置槽构成顶针孔的一部分； 所述绝缘顶针5通过帽顶501悬挂在绝缘导热盘8上，绝缘顶针5的下端与工艺腔体底部不连接； 所述第一垂直距离设为0.3mm～0.5mm； 所述绝缘导热盘8的厚度为0.8mm～1.2mm； 所述载台2中设有流道，所述流道供导热介质通过； 所述绝缘导热盘8的上表面设有多道导气槽，多道导气槽纵横交错分布。

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