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龙图腾网获悉华辰芯光(无锡)半导体有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121216222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511758621.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法是由洪斌;魏明;向磊设计研发完成，并于2025-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直腔面发射激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及激光器技术领域，公开了垂直腔面发射激光器及其制备方法。制备方法包括：提供衬底层；在衬底层上依次堆叠第一反射镜层、第一限制层、有源层和第二限制层；在第二限制层的部分表面形成环形的氮化势垒层，中部区域形成第一光孔；在氮化势垒层上形成第二反射镜层，第二反射镜层填充第一光孔且在背离氮化势垒层的一侧形成与第一光孔对应的第二光孔；氮化势垒层的功函数高于第二限制层和第二反射镜层，以使氮化势垒层形成第一肖特基势垒和第二肖特基势垒。本发明中，氮化势垒层用界面能量势垒堵死横向路径，用几何结构拓宽垂直路径，强制电流垂直传输，同时具有高热导优势，在高功率下的可靠性大大提升。

本发明授权垂直腔面发射激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底层； 在所述衬底层的一侧表面依次堆叠形成第一反射镜层、第一限制层、有源层和第二限制层； 在所述第二限制层背离所述衬底层一侧的部分表面形成氮化势垒层，所述氮化势垒层呈环形，中部区域形成适于激光出射的第一光孔；所述氮化势垒层包括氮化钽层或者氮化钛层； 在所述氮化势垒层背离所述衬底层的一侧形成第二反射镜层，所述第二反射镜层靠近所述氮化势垒层的一侧填充所述第一光孔，且背离所述氮化势垒层的一侧形成凹陷的第二光孔，所述第二光孔和所述第一光孔对应设置；所述氮化势垒层的功函数高于所述第二限制层和所述第二反射镜层的功函数，以使所述氮化势垒层在与所述第二限制层的接触区域形成第一肖特基势垒，以及使所述氮化势垒层在相对远离所述衬底层的一侧与所述第二反射镜层的接触区域形成第二肖特基势垒； 对所述第二光孔对应区域的所述第二反射镜层进行减薄处理，以使所述第二光孔所在区域对应的所述第二反射镜层的厚度小于所述氮化势垒层所在区域对应的所述第二反射镜层的厚度。

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