湖北九峰山实验室徐豪获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利激光器外延片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121216226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511736677.6，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权激光器外延片是由徐豪;潘磊;卢双赞;刘洋博文;刘力;柯鑫池;李浩宇设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本激光器外延片在说明书摘要公布了：本发明提供了一种激光器外延片，包括依次叠设的：Si衬底、AlxGa1‑xAs种子层、GaAs缓冲层、第一重叠层、n型GaAs接触层、n型AlzGa1‑zAs波导层、第二重叠层、p型AlgGa1‑gAs波导层以及p型GaAs接触层。本发明通过AlxGa1‑xAs种子层生长，从源头抑制反相畴APB的生成，再通过GaAs缓冲层，将已有的反相畴APB在GaAs缓冲层内湮灭。通过InyGa1‑yAsGaAs超晶格的引入，大幅降低了位错密度，达到制备高性能激光器的水平。
本发明授权激光器外延片在权利要求书中公布了：1.一种激光器外延片，其特征在于，包括依次叠设的：Si衬底、AlxGa1-xAs种子层、GaAs缓冲层、第一重叠层、n型GaAs接触层、n型AlzGa1-zAs波导层、第二重叠层、p型AlgGa1-gAs波导层以及p型GaAs接触层；其中， 所述第一重叠层包括重叠设置的三层分重叠层，每层分重叠层包括依次叠设的GaAs隔离层以及3层InyGa1-yAsGaAs超晶格层，其中，每层分重叠层中，GaAs隔离层位于3层InyGa1-yAsGaAs超晶格层的下方，最靠近所述GaAs缓冲层的分重叠层中的GaAs隔离层，位于所述GaAs缓冲层上，0.1≤x≤0.3； 所述第二重叠层包括8层InAsInfGa1-fAs量子点阱垒结构，每层InAsInfGa1-fAs量子点阱垒结构上设有非故意掺杂的GaAs隔离层。
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