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龙图腾网获悉长春长光圆辰微电子技术有限公司申请的专利一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511747763.7，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法是由方小磊;姜伟佳;屈庆楠;于天伟设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，本申请提供一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，并在半导体衬底上形成一外延层；在所述外延层上形成沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部；在所述沟槽的侧壁和底部形成梯度掺杂P型柱；在形成有所述梯度掺杂P型柱的沟槽内形成介质层；以及用导电材料填充所述沟槽。本申请通过动态优化沟槽的离子注入工艺，达到了精确制造梯度掺杂P型柱，从而显著降低TMBS器件开关噪声的效果。

本发明授权一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于降低TMBS器件开关噪声的沟槽优化制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底，并在半导体衬底上形成一外延层； 在所述外延层上形成沟槽，所述沟槽具有侧壁和底部； 在所述沟槽的侧壁和底部形成梯度掺杂P型柱； 在形成有所述梯度掺杂P型柱的沟槽内形成介质层； 以及用导电材料填充所述沟槽； 其中，所述形成所述梯度掺杂P型柱包括： 基于工艺优化模型处理离子注入初始工艺参数输出离子注入优化工艺参数； 基于离子注入优化工艺参数，通过至少一次倾斜离子注入和至少一次垂直离子注入，向所述沟槽的侧壁和底部引入P型杂质； 在执行离子注入工艺过程中，获取沟槽侧壁区域当前浓度估计值和沟槽底部区域当前浓度估计值； 根据沟槽侧壁区域当前浓度估计值和沟槽底部区域当前浓度估计值与预存的目标浓度分布的比对结果，动态调整后续的离子注入优化工艺参数； 所述工艺优化模型包括依次连接的特征提取组件、参数重建层和优化输出层；所述特征提取组件用于对输入的离子注入初始工艺参数进行下采样提取关键工艺特征，所述参数重建层用于对关键工艺特征进行上采样，所述优化输出层用于输出离子注入优化工艺参数； 所述特征提取组件采用残差结构，运算过程包括： 式中，为提取的关键工艺特征，为特征提取函数，为离子注入初始工艺参数； 所述特征提取函数，运算过程包括： 式中，和为卷积层，为批归一化层，为ReLU函数。

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