湖北九峰山实验室应豪获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利GaN外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511739668.2，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权GaN外延片及其制备方法是由应豪;潘磊;徐爽;董浩;夏德洋设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaN外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种GaN外延片及其制备方法，GaN外延片，依次叠设有：衬底、键合层、Si111层、成核层、缓冲层以及GaN器件层，所述键合层材料为AlN、碳化硅或金刚石等高热导率材料。本发明中的键合层与GaN的晶格失配小、且热膨胀系数极为接近，同时还具有高热导率。利用高热导率材料的这种优势，将Si和键合层结合起来形成复合衬底，互相弥补各自的缺点，可制备出一种更高效的复合衬底，进而外延生长出高质量、易集成、散热强的GaN外延片。
本发明授权GaN外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN外延片，其特征在于，依次叠设有： 衬底； 键合层，材料为AlN、碳化硅或金刚石等高热导率材料； Si111层； 成核层； 缓冲层；以及， GaN器件层； 所述衬底的材料包括Si100、Si110、Si111、金刚石、砷化硼或碳化硅。
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