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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218668B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511746998.4，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法是由方延;张新;郭廷晃设计研发完成，并于2025-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本披露公开了一种用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法。该方法包括：制备衬底、栅极结构和衬底保护层，衬底保护层位于衬底的有源区，栅极结构包括：由下至上依次设置的用于调控栅极阈值电压的金属功函数层和用于保护栅极结构的栅极保护层；利用接触孔工艺，通过刻蚀气体刻蚀衬底保护层，以形成底部位于有源区的第一接触孔；以第一接触孔为反应窗口，在有源区形成金属硅化物。通过本披露实施例的方案，能够简化栅极侧墙增厚工艺和湿法栅极侧墙减薄工艺所在工序，从而解决层间绝缘介质层出现空洞的问题，降低器件桥接的风险，与此同时，还能够避免湿法栅极侧墙减薄工艺使用的化学药液对金属硅化物和栅极结构造成损伤，从而降低了器件接触不良和器件失效的风险。

本发明授权用于制备金属硅化物的方法、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备金属硅化物的方法，其特征在于，包括： 制备衬底、栅极结构和衬底保护层，所述衬底保护层位于所述衬底的有源区，所述栅极结构包括：由下至上依次设置的用于调控栅极阈值电压的金属功函数层和用于保护栅极结构的栅极保护层； 利用接触孔工艺，通过刻蚀气体刻蚀所述衬底保护层，以形成底部位于所述有源区的第一接触孔； 以所述第一接触孔为反应窗口，在所述有源区形成金属硅化物，其中， 所述衬底保护层包括：由下至上依次设置的第一保护层和第二保护层，所述第一保护层和所述第二保护层采用不同化合物；所述栅极保护层包括：由下至上依次设置的第三保护层和第四保护层，所述第三保护层与所述第四保护层采用不同化合物，所述第四保护层和所述第一保护层采用相同化合物；所述刻蚀气体包括：第一刻蚀气体和第二刻蚀气体； 所述利用接触孔工艺，通过刻蚀气体刻蚀所述衬底保护层，以形成底部位于所述有源区的第一接触孔包括： 利用接触孔工艺，通过第一刻蚀气体刻蚀所述第二保护层；以及 利用接触孔工艺，通过第二刻蚀气体刻蚀所述第一保护层，以形成底部位于所述有源区的第一接触孔。

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